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根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形...

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔...

隔線板7的存在，可以有效地將信號線束收集整理，可以防止顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)內(nèi)的信號線雜亂，影響裝置運行和檢修，并且通過設(shè)置可插拔的方形橡膠塞8隔斷信號線，便于根據(jù)信號線的接入位置隨意調(diào)節(jié)橡膠塞8的位置，靈活方便。主板1的下方安裝有信號接頭9，信號接頭9包括母頭...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計效率和性能。實施例可以應(yīng)用于任何電子裝置和系統(tǒng)。例如，實施例可以應(yīng)用于諸如存儲器卡、固態(tài)驅(qū)動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理...

在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，ga...

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中...

根據(jù)示例實施例的集成電路以及制造和設(shè)計所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實質(zhì)上是...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā) 明 公開號“cn”名...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。...

在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。圖10示出了對應(yīng)于步驟1306的一些實施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。圖11示出了對應(yīng)于步驟1308的一些實...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。...

存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件...

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設(shè)置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構(gòu)的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內(nèi)加注部分純凈水，...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名...

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形...

轉(zhuǎn)動環(huán)24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內(nèi)壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機構(gòu)2能夠方便散熱機構(gòu)3與芯片本體1進行連接。散熱機構(gòu)3包括與l形桿23側(cè)壁固定連接的空心導熱塊31，空心導熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動連接，空心導熱塊31的上表面固...

可以通過執(zhí)行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖?？梢酝ㄟ^電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次...

本實用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護環(huán)的電子...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā)明專利公開號“cn”名...

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區(qū)ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。...

每個單元線路結(jié)構(gòu)uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節(jié)距的相同的雙倍心軸節(jié)...

本實用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發(fā) 明 公開號“cn”名...

發(fā)射機校準包括：apc校準、包絡(luò)調(diào)整、afc頻率補償校準、溫度補償校準等。接收機校準包括：agc校準、rssi校準等。主板校準是手機生產(chǎn)測試的，手機的各項性能指標主要依靠校準工位調(diào)整參數(shù)，使之滿足產(chǎn)品標準。校準完成后的手機，其性能是否滿足規(guī)范要求，或機殼裝配是...

存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件...

電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態(tài)及各項監(jiān)測數(shù)據(jù)， 方便操作者使用，使得產(chǎn)品調(diào)試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式下面將...

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級繞組外過孔10，環(huán)次級繞組外過13，第二環(huán)初級繞組外過14，第二環(huán)次...