將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。回收，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！云南三極管回收價格

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號 “cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數據的觸摸屏。該種輸入設備功能較為單一，輸入設備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態輸入性較差。針對于目前工廠對產品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領域技術人員努力的方向。海南電子元器件回收公司上海海谷電子有限公司致力于提供回收，期待您的光臨！

可以使用側壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距的目標圖案。圖5至圖10是示出應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節距pdm并且雙倍心軸節距pdm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。

本領域普通技術人員將理解本發明的許多可能的應用和變化。除非另外定義，否則這里使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本公開的實施例所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。應當理解，例如在常用詞典中定義的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且不應該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過于正式的意義。機器學習經配置以各種設置以通過使用示例來執行任務。例如，神經網絡可經配置以執行沒有任務特定編程的任務。也就是說，可以從先前數據訓練神經網絡以對來自當前數據的信息進行分類或推斷。例如，訓練數據可經配置以通過分析信號的電壓來識別從駕駛員輸出端的信號的回轉率。雖然使用基于電壓的回轉率識別作為示例，但這是說明性的，并且任何合適的神經網絡任務可以由下面描述的實施例執行。圖1的示意圖說明調整信號的回轉率的比較方法。參考圖1，一集成電路(integratedcircuit，ic)元件10包括一驅動器電路102和一回轉率控制(slewratecontrol，src)電路104。驅動器電路102經配置以接收一信號din，并通過增加信號din的驅動能力來驅動出ic元件10上的一信號dout。根據src電路104提供的一回轉率。回收，就選上海海谷電子有限公司，有需要可以聯系我司哦！

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電！安徽二極管回收中心

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等的半導體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結構。基底110可以包括導電區域，例如，摻雜雜質的阱或摻雜雜質的結構。標準單元可以包括器件區rx1、第二器件區rx2以及使器件區rx1和第二器件區rx2沿第二方向y分離的有源切口區acr。器件區rx1和第二器件區rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區ac(參見圖12c)。多個有源區ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區ac之間。多個有源區ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個有源區ac交叉的第二方向y上延伸。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個有源區ac的上表面和側壁以及器件隔離層112的上表面。多個金屬氧化物半導體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區ac的上表面和兩個側壁中形成溝道的三維結構。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。云南三極管回收價格

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