產品中心
-
重點
-
重點
-
重點
-
重點
-
重點
-
重點
-
重點
-
重點
由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因...
傳承電子科技（江蘇）有限公司成立于2013年09月10日，注冊地位于昆山開發區朝陽東路99號2號房4樓，法定代表人為楊種南。經營范圍包括電子產品、半導體器件、環保設備、電氣產品的研發、加工、銷售；貨物及技術的進出口業務。（依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動）
