導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎新老客戶來電！福建電子芯片回收價格

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變r am(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執行。例如。吉林高價電子元器件回收中心上海海谷電子有限公司回收服務值得放心。

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號 “cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數據的觸摸屏。該種輸入設備功能較為單一，輸入設備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態輸入性較差。針對于目前工廠對產品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領域技術人員努力的方向。

每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。 柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來電！

1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或實施例都是需要的，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內。圖9示出了對應于步驟1302的一些實施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續上表面正上方形成多個底電極通孔。圖10示出了對應于步驟1304的一些實施例的截面圖1000。在步驟1306中。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！海南進口晶振回收

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