所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開(kāi)口朝上的環(huán)形槽，所述開(kāi)口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開(kāi)口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開(kāi)口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)孔均采用激光打孔。所述若干外過(guò)孔包括初級(jí)繞組外過(guò)孔和次級(jí)繞組外過(guò)孔，所述若干內(nèi)過(guò)孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔和次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過(guò)孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對(duì)應(yīng)處設(shè)置有開(kāi)窗。由印制線連接過(guò)孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒(méi)有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法可以來(lái)我司咨詢！遼寧電感元件回收公司

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過(guò)諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒(méi)有層240和層250。天津晶振回收量大從優(yōu)回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來(lái)電咨詢！

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔；11-環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；12-環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；13-環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔；14-第二環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔；15-第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；16-第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；17-第二環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔；18-第三環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔；19-第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；20-第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔；21-第三環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔。具體實(shí)施方式下面結(jié) 合附圖(圖1-圖2)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開(kāi)口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開(kāi)口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開(kāi)口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開(kāi)口(例如，蝕刻銅箔。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過(guò)數(shù)據(jù)線與遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連；所述數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊包括下載判斷模塊、校準(zhǔn)綜測(cè)模塊、開(kāi)機(jī)模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無(wú)線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊傳輸連接。作為方式之一，所述電容式觸摸模塊包括感應(yīng)觸控芯片，感應(yīng)觸控芯片與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊數(shù)據(jù)傳輸連接。作為方式之一，所述高頻讀卡模塊通過(guò)rfid卡刷卡進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)。作為一種方式之一，所述遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器通過(guò)tcp/ip協(xié)議與無(wú)線網(wǎng)關(guān)裝置相連。作為一種方式之一，無(wú)線網(wǎng)關(guān)裝置通過(guò)無(wú)線傳輸方式與通訊模塊相連。本實(shí)用新型針對(duì)工廠需求，治具與電腦結(jié)合來(lái)提升產(chǎn)品的質(zhì)量。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來(lái)電咨詢！

本發(fā)明涉及集成電路封裝技術(shù)，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。背景技術(shù)：由于新能源的大力發(fā)展，隔離應(yīng)用要求越來(lái)越多和隔離電壓越來(lái)越高，而半導(dǎo)體隔離技術(shù)取代傳統(tǒng)光耦技術(shù)效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業(yè)發(fā)展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領(lǐng)域一個(gè)重要的和發(fā)展迅速的行業(yè),有機(jī)基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中。現(xiàn)有技術(shù)中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號(hào)傳輸不得不采用180MHz的調(diào)制信號(hào)，電路非常復(fù)雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，對(duì)于采用微變壓器方案的半導(dǎo)體隔離技術(shù)，由于微變壓器方案電感量，耦合系數(shù)太低，也增加了傳輸電路的復(fù)雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)的電源，客戶使用不方便。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司回收獲得眾多用戶的認(rèn)可。湖南電感元件回收

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等的半導(dǎo)體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導(dǎo)體。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結(jié)構(gòu)。基底110可以包括導(dǎo)電區(qū)域，例如，摻雜雜質(zhì)的阱或摻雜雜質(zhì)的結(jié)構(gòu)。標(biāo)準(zhǔn)單元可以包括器件區(qū)rx1、第二器件區(qū)rx2以及使器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2沿第二方向y分離的有源切口區(qū)acr。器件區(qū)rx1和第二器件區(qū)rx2中的每個(gè)可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個(gè)鰭型有源區(qū)ac(參見(jiàn)圖12c)。多個(gè)有源區(qū)ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個(gè)有源區(qū)ac之間。多個(gè)有源區(qū)ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個(gè)有源區(qū)ac交叉的第二方向y上延伸。多個(gè)柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和側(cè)壁以及器件隔離層112的上表面。多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁中形成溝道的三維結(jié)構(gòu)。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。遼寧電感元件回收公司

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