本實(shí)用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時(shí)候會(huì)散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片的使用壽命。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中集成電路芯片的散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長(zhǎng)時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片使用壽命的問(wèn)題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。回收，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來(lái)電咨詢(xún)！江西三極管回收廠家

所述基板包括覆銅芯板，通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開(kāi)口朝上的環(huán)形槽，所述開(kāi)口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開(kāi)口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開(kāi)口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)孔均采用激光打孔。所述若干外過(guò)孔包括初級(jí)繞組外過(guò)孔和次級(jí)繞組外過(guò)孔，所述若干內(nèi)過(guò)孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔和次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線(xiàn)連接過(guò)孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對(duì)應(yīng)處設(shè)置有開(kāi)窗。由印制線(xiàn)連接過(guò)孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒(méi)有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。福建電子料高價(jià)回收網(wǎng)上海海谷電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供回收的公司，期待您的光臨！

轉(zhuǎn)動(dòng)環(huán)24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內(nèi)壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機(jī)構(gòu)2能夠方便散熱機(jī)構(gòu)3與芯片本體1進(jìn)行連接。散熱機(jī)構(gòu)3包括與l形桿23側(cè)壁固定連接的空心導(dǎo)熱塊31，空心導(dǎo)熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動(dòng)連接，空心導(dǎo)熱塊31的上表面固定連通有多個(gè)連通管32，多個(gè)同側(cè)連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個(gè)空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個(gè)第二連通管34，多個(gè)同側(cè)第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。第二空心散熱塊35的頂端固定連接有多個(gè)錐形塊4，錐形塊4能夠便捷水珠凝結(jié)。空心導(dǎo)熱塊31的外壁固定連通有導(dǎo)管5，導(dǎo)管5遠(yuǎn)離空心導(dǎo)熱塊31的一端螺紋連接有管蓋6，導(dǎo)管5便于向空心導(dǎo)熱塊32內(nèi)加水。空心導(dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35的材質(zhì)均為不銹鋼，且能夠避免空心導(dǎo)熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35銹蝕損壞。本實(shí)用新型中，當(dāng)芯片本體1與集塵電路板安裝的時(shí)候，首先把l形桿23插入螺紋塊21的凹槽22中，接著通過(guò)螺母25與螺紋塊21連接。

每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)在方向上布置成交替地具有柵極節(jié)距和第二柵極節(jié)距。在又一實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)包括十二條金屬線(xiàn)和八條柵極線(xiàn)，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條金屬線(xiàn)在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距、第二金屬節(jié)距、金屬節(jié)距和第三金屬節(jié)距。在這個(gè)實(shí)施例中，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)通過(guò)saqp形成，并且每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)在方向上布置成順序地且重復(fù)地具有柵極節(jié)距、第二柵極節(jié)距、柵極節(jié)距和第三柵極節(jié)距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線(xiàn)，所述多條柵極線(xiàn)布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線(xiàn)，所述多條金屬線(xiàn)布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線(xiàn)中的6n條金屬線(xiàn)和包括在所述多條柵極線(xiàn)中的4n條柵極線(xiàn)形成單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)布置在方向上。在所述方法的一些實(shí)施例中。上海海谷電子有限公司回收獲得眾多用戶(hù)的認(rèn)可。

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過(guò)諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒(méi)有層240和層250。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶(hù)的信賴(lài)之選，歡迎您的來(lái)電！陜西晶振回收聯(lián)系方式

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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個(gè)，可以使用三個(gè)四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線(xiàn) ml1至ml12。每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線(xiàn)ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線(xiàn)ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線(xiàn)ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的八條柵極線(xiàn)gl1至gl8。參照?qǐng)D8，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線(xiàn)gl1至gl8可以通過(guò)單圖案化形成。在這種情況下，每個(gè)單元線(xiàn)路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線(xiàn)gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過(guò)曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照?qǐng)D9。江西三極管回收廠家

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