根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。 圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標準單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應晶體管(finfet)的標準單元scl的一部分。圖12a是圖11的標準單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標準單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標準單元scl沿線c-c的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標準單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！山東電子料上門回收量大從優

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站、膝上型計算機、數字tv、機頂盒、便攜式、導航系統、可穿戴裝置、物聯網(iot)裝置、萬物網(ioe)裝置、電子書、虛 擬現實(vr)裝置、增強現實(ar)裝置等的系統。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已經描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在實質上不脫離本發明構思的情況下，可以在示例實施例中進行許多修改。青海二極管回收上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的不要錯過哦！

可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據一些示例實施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標準單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應的電力軌對。根據示例實施例，如圖16中所示。

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有想法的可以來電咨詢！

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執行。例如。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有想法的不要錯過哦！海南電容電阻回收平臺

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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節 距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。山東電子料上門回收量大從優

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