包括：在襯底上方形成互連層；在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件，所述一個或多個調節mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成第二互連層，其中，所述互連層和所述第二互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。圖2示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括調節mtj器件，該調節mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖3a至圖3c示出了圖2的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖4a至圖4b示出了對應于圖2的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖5a至圖5b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！甘肅電子元件回收行情

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。云南二極管回收服務上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的不要錯過哦！

存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調節訪問裝置108。調節訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調節mtj器件504和第二調節mtj器件506。調節mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調節mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調節mtj器件504具有尺寸(例如。

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，在所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖1是系統的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。圖2a和圖2b示出了根據一個實施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖3示出了圖2a和圖2b的雙列直插式存儲模塊組件的一側的視圖。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件。圖4b示出了圖4a的兩個印刷電路裝配件，所述兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，有需求可以來電咨詢！

可以使用光刻工藝形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工藝和軟焙工藝在層250上形成抗蝕劑層。然后，使用針對圖4c的心軸圖案231、232和233而定義的掩模將抗蝕劑層暴露于輻射。心軸圖案231、232和233將提供基于231、232和233創建圖4e中所示的側壁間隔件261至266的基礎。終將蝕刻掉心軸圖案231、232和233。使用曝光后烘焙、顯影和硬烘焙來使曝光的抗蝕劑層顯影，從而在層250上方形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3?？刮g劑圖案pr1、pr2和pr3在方向x上具有節距p1和寬度w1。參照圖4c，通過抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的開口蝕刻層250、240和230以形成心軸圖案231、232和233。蝕刻工藝可以包括干法(或等離子體)蝕刻、濕法蝕刻或其他合適的蝕刻方法。之后使用合適的工藝(諸如，濕法剝離或等離子體灰化)去除抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。還使用一個或更多個蝕刻工藝去除層250和層240，從而在中間層220上方產生圖4c中所示的心軸圖案231、232和233?？紤]到通過上述圖案化工藝的特征變化，心軸圖案231、232和233在方向x上具有分別與節距p1和寬度w1基本匹配的節距p2和寬度w2。參照圖4d，在介電層220上方、在心軸圖案231、232和233上方以及在心軸圖案231、232和233的側壁上形成間隔層260?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！云南二極管回收服務

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固定層110a和自由層114a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態，并且從而使得多個存儲單元104a,1至104b,2能夠分別存儲數據狀態，數據狀態具有基于存儲單元內的工作mtj器件106的電阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲位值(例如，邏輯“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲第二位值(例如，邏輯“1”)。調節訪問裝置108分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件106的電流的電阻。例如，調節訪問裝置108a,1被配置為控制提供給工作mtj器件106a,1的電流，第二調節訪問裝置108b,1被配置為控制提供給第二工作mtj器件106b,1的電流等。調節訪問裝置108被配置為通過控制提供給工作mtj器件106的電流來選擇性地對存儲器陣列102內的一個或多個工作mtj器件106提供訪問。在一些實施例中，調節訪問裝置108可以包括一個或多個調節mtj器件109，一個或多個調節mtj器件109分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112b與自由層114b分隔開的固定層110b。例如，在一些實施例中，調節訪問裝置108可以包括與相關的工作mtj器件106連接的并聯連接的調節mtj器件和第二調節mtj器件206。在一些實施例中。甘肅電子元件回收行情

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