以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定一信號的實際回轉率，并且該預設電壓的微分決定該信號的預設回轉率。在一些實施例中，該經學習電壓包括一神經網絡的一經加權值。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路以及一第二取樣保持電路。該取樣保持電路經配置以取樣一信號的一電壓。該第二取樣保持電路經配置以取樣該信號的一第二電壓，其中該實際電壓與該電壓和該第二電壓相關。在一些實施例中，該測量電路還包括一減法器電路。該減法器電路經配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該不成熟分類與該參考分類之間的一區別與一神經網絡的一權重相關聯，并且該經學習電壓包括該神經網絡的一經加權值。在一些實施例中，該分類器電路還包括一乘法器。該乘法器經配置以通過將該預設電壓乘以一經更新權重來產生該經學習電壓，其中該經更新權重與一預設權重相關聯。在一些實施例中，該經更新權重與該區別和該預設權重之間的代數關系相關聯。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的可以來電咨詢！青海收購電子元器件回收

調節mtj器件、第二調節mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調節訪問裝置108可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實施例中，調節訪問裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個實施例中，調節訪問裝置108可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列102通過多條位線bl1至bl2和多條字線wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實施例中，控制電路115包括連接至多條位線bl1至bl2的位線解碼器116和連接至多條字線wl1至wl2的字線解碼器118。調節訪問裝置108連接在字線wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之間，而工作mtj器件106連接在調節訪問裝置108和位線bly(y＝1或2)之間。為了訪問工作mtj器件106。云南電子料高價回收量大從優上海海谷電子有限公司回收值得用戶放心。

所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。

本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據本發明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態；以及調節訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調節磁隧道結器件。根據本發明的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。根據本發明的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！

由比較器800產生的經配置以調整信號dout的回轉率的預測還可能是正確的。圖13是根據本公開的一些實施例的信號的回轉率的一調整方法90的流程圖。參考圖13，調整方法90包括操作92、94、96和98。調整方法90開始于操作92，其中通過將一預設電壓與一實際電壓進行比較來提供一不成熟分類。調整方法90繼續至操作94，其中接收一參考分類，其中通過人工將該預設電壓與該實際電壓進行比較來獲取該參考分類。調整方法90進行到操作96，其中基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓。調整方法90繼續至操作98，其中基于該經學習電壓產生一預測以調整一回轉率。調整方法90是示例，并且不旨在將本公開限制為超出權利要求中明確記載的內容。可以在調整方法90之前、期間和之后提供附加操作，并且為了調整方法90的額外實施例可以替換、消除或移動所描述的一些操作。在本公開中，mlc42控制src電路104而不涉及人力。因此，使用mlc42來調整回轉率是相對方便的。本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測量電路以及一分類器電路。該測量電路經配置以獲取一實際電壓。該分類器電路經配置以：通過比較一預設電壓和該實際電壓來產生關于一不成熟分類的信息。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎您的來電！遼寧三極管回收處理

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每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。青海收購電子元器件回收

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