sr)調(diào)整程序以進(jìn)行另一次迭代的調(diào)整程序以前，使用者采取的步驟。在調(diào)整流程中，在操作200中調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率，直到操作202中產(chǎn)生的信號(hào)dout在操作204中的測(cè)量滿足在操作208中獲取的規(guī)范，其中使用者于操作206中評(píng)估該測(cè)量。應(yīng)當(dāng)注意，該規(guī)范對(duì)于操作206中的評(píng)估可能是關(guān)鍵的。此外，應(yīng)該注意，該規(guī)范通常是非正式的，并且可以不由圖1的使用者應(yīng)用端12輸入。總之，前述操作被迭代地執(zhí)行，直到經(jīng)調(diào)整回轉(zhuǎn)率滿足規(guī)范的要求。經(jīng)配置以測(cè)量信號(hào)dout的電壓的示波器120的尺寸相對(duì)較大。此外，需要手動(dòng)調(diào)整回轉(zhuǎn)率。結(jié)果，比較方法相對(duì)不方便。圖3是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的具有一機(jī)器學(xué)習(xí)電路(machinelearningcircuit，mlc)42的一電路30的示意圖。參考圖3，電路30包括一ic元件10和包括mlc42的一集成電路元件40。在一些實(shí)施例中，ic元件10和ic元件40集成在單個(gè)芯片中。在一些實(shí)施例中，ic元件10和ic元件40分別集成在不同的芯片中，并且包括ic元件10的芯片及包括ic元件40的芯片被設(shè)置在母板上。ic元件10和ic元件40通過(guò)母板彼此通信。mlc42經(jīng)配置以通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)任務(wù)。mlc42經(jīng)由一互連電路46(例如通信總線)通信地耦合到ic元件10。初，mlc42進(jìn)入訓(xùn)練階段。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！天津電容電阻回收平臺(tái)

公開的寫入操作可以在調(diào)節(jié)mtj器件(例如，圖2中的204至206)處于高電阻狀態(tài)來(lái)實(shí)施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。如圖3a的示意圖300所示，寫入操作的步驟通過(guò)將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲(chǔ)器陣列102的行301中的存儲(chǔ)單元202a,1和第三存儲(chǔ)單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件來(lái)實(shí)施。通過(guò)將非零偏置電壓v1(例如，2v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，6v)施加至字線wl3，將第三非零偏置電壓v3(例如，8v)施加至位線bl1和bl3，并且將第四非零偏置電壓v4(例如，4v)施加至位線bl2來(lái)實(shí)施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v1(例如，2v)和第三非零偏置電壓v3(例如，8v)之間的差異使得電流i1流過(guò)存儲(chǔ)單元202a,1和第三存儲(chǔ)單元202a,3內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i1小于切換電流isw，使得存儲(chǔ)單元202a,1和第三存儲(chǔ)單元202a,3內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來(lái)自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i1的兩倍的電流流過(guò)存儲(chǔ)單元202a,1和第三存儲(chǔ)單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件。電流i1的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲(chǔ)單元202a,1和第三存儲(chǔ)單元202a,3內(nèi)的工作mtj器件。第二存儲(chǔ)單元202a,2內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐1(例如。吉林廢棄電子料回收服務(wù)回收，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來(lái)電咨詢！

而將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108連接至位線bl2使得第二調(diào)節(jié)mtj器件206內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列102的整個(gè)行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進(jìn)存儲(chǔ)器陣列102的存儲(chǔ)單元之間的隔離。圖7b示出了對(duì)應(yīng)于圖7a的存儲(chǔ)器電路700的集成電路的一些額外實(shí)施例的截面圖704。圖8a至圖8b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖8a示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108的存儲(chǔ)器電路800的一些額外實(shí)施例的示意圖，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108包括調(diào)節(jié)mtj器件804、第二調(diào)節(jié)mtj器件806和第三調(diào)節(jié)mtj器件808。調(diào)節(jié)mtj器件804連接在字線(例如，wl1)和偏置電壓線(例如，bvl1)之間，第二調(diào)節(jié)mtj器件806連接在第二字線(例如，wl2)和偏置電壓線(例如，bvl1)之間，第三調(diào)節(jié)mtj器件808連接在偏置電壓線(例如，bvl1)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件808和位線(例如，bl1)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件808在產(chǎn)生不同的電阻來(lái)控制相關(guān)的工作mtj器件106內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108更大的靈活性。圖8b示出了對(duì)應(yīng)于圖8a的存儲(chǔ)器電路800的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖810。

本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢(shì)下的目標(biāo)。如中國(guó)發(fā)明專利公開號(hào)“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的**公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個(gè)4×4的鍵盤，一個(gè)**處理器cpu，兩個(gè)鐵電存儲(chǔ)器32k×2和一個(gè)多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動(dòng)態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡(jiǎn)單。如中國(guó)發(fā)明專利公開號(hào)“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的**公開了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲(chǔ)器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過(guò)指紋觸摸對(duì)固定指令進(jìn)行操作，動(dòng)態(tài)輸入性較差。針對(duì)于目前工廠對(duì)產(chǎn)品制造良率的要求越來(lái)越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯(cuò)誤判的問(wèn)題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來(lái)電！

示出了一個(gè)處理器1500。可選地，多個(gè)處理器可以包括在設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000中。此外，處理器1500可以包括增加計(jì)算容量的高速緩存存儲(chǔ)器。這樣，根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路和設(shè)計(jì)集成電路的方法可以通過(guò)單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。圖15是示出圖14的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的示例操作的流程圖。參照?qǐng)D14和圖15，設(shè)計(jì)模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)1110，以便提取與輸入數(shù)據(jù)di對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且可以使用提取的標(biāo)準(zhǔn)單元執(zhí)行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對(duì)布局的單元執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。當(dāng)信號(hào)布線不成功時(shí)(s14：否)，布局模塊1200可以替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，例如，可以用另一標(biāo)準(zhǔn)單元替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，以修改單元的布局(s15)。布線模塊1300可以針對(duì)修改的布局再次執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。這樣，可以重復(fù)地布局和布線，直到成功完成信號(hào)布線。當(dāng)信號(hào)布線成功完成時(shí)(s14：是)，設(shè)計(jì)模塊1400可以生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)do(s16)。圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的示圖。圖16的集成電路300可以是集成電路(asic)。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的可以來(lái)電咨詢！遼寧電子料庫(kù)存回收平臺(tái)

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可以使用光刻工藝形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工藝和軟焙工藝在層250上形成抗蝕劑層。然后，使用針對(duì)圖4c的心軸圖案231、232和233而定義的掩模將抗蝕劑層暴露于輻射。心軸圖案231、232和233將提供基于231、232和233創(chuàng)建圖4e中所示的側(cè)壁間隔件261至266的基礎(chǔ)。終將蝕刻掉心軸圖案231、232和233。使用曝光后烘焙、顯影和硬烘焙來(lái)使曝光的抗蝕劑層顯影，從而在層250上方形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3在方向x上具有節(jié)距p1和寬度w1。參照?qǐng)D4c，通過(guò)抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的開口蝕刻層250、240和230以形成心軸圖案231、232和233。蝕刻工藝可以包括干法(或等離子體)蝕刻、濕法蝕刻或其他合適的蝕刻方法。之后使用合適的工藝(諸如，濕法剝離或等離子體灰化)去除抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3。還使用一個(gè)或更多個(gè)蝕刻工藝去除層250和層240，從而在中間層220上方產(chǎn)生圖4c中所示的心軸圖案231、232和233。考慮到通過(guò)上述圖案化工藝的特征變化，心軸圖案231、232和233在方向x上具有分別與節(jié)距p1和寬度w1基本匹配的節(jié)距p2和寬度w2。參照?qǐng)D4d，在介電層220上方、在心軸圖案231、232和233上方以及在心軸圖案231、232和233的側(cè)壁上形成間隔層260。天津電容電阻回收平臺(tái)

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