使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據一個實施例的、特征在于內部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖9示出了根據一個實施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電路產生大量的熱量，特別是在高密度配置中。現有許多技術對集成電路進行冷卻，但是存在許多與這些現有技術相關的缺點。空氣冷卻是嘈雜的，并且因此當靠近辦公室人員/在工作環境中布置時是不期望的。當需要維護雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯至循環制冷液體的冷卻管。所公開的實施例以兩個系統板為一對。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有需求可以來電咨詢！天津電子料上門回收價格

可以通過電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標準單元scl的單元高度ch。可以沿著與電力軌71和72平行的方向x定義標準單元scl的單元寬度cw。線路m1的節距會由于小節距規則而需要滿足限制。例如，線路m1會需要根據“前列到側面”約束和“圓角”約束來滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導電層的堆疊結構。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或電鍍方法來形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據一些示例實施例的集成電路可以對應于各種標準單元的組合。盡管圖中未示出，但是根據示例實施例的用于形成單元線路結構的列金屬線可以形成在第二層ly2上方的m2層或m3層中。圖13是示出根據示例實施例的設計集成電路的方法的示圖。圖13的方法可以包括由設計工具執行的設計集成電路的布圖的方法。在一些示例實施例中，設計工具可以包括包含可由處理器執行的多個指令的編程軟件，即，以硬件(例如，處理器、asic等)的某種形式實現的軟件。參照圖13，可以接收定義集成電路的輸入數據(s10)。例如。河北電感元件回收價格上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，有想法的不要錯過哦！

字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖3b中示出的寫入操作在步驟(圖3a所示)期間將數據狀態寫入至存儲器陣列的一行中的一個或多個存儲單元，并且在隨后的第二步驟(圖3b所示)期間將第二數據狀態寫入至存儲器陣列的該行中的一個或多個存儲單元，以使用兩步工藝將數據寫入至存儲器陣列102的整個行。應該理解，為了將數據寫入mtj器件，提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列102內的mtj器件。在一些實施例中。

圖4a示出了對應于圖2的存儲器陣列102的集成芯片400的一些實施例的截面圖。集成芯片400包括布置在襯底402上方的介電結構404。介電結構404圍繞存儲單元202a,1和第二存儲單元202b,1，第二存儲單元202b,1鄰近于存儲單元202a,1橫向定位。介電結構404還圍繞多個導電互連層406a至406c。在一些實施例中，介電結構404可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導電互連層406a至406c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元202a,1和第二存儲單元202b,1分別包括調節訪問裝置108和工作mtj器件106。調節訪問裝置108連接至限定多條字線wl1至wl4的互連層406a。多條字線wl1至wl4中的兩個連接至圖2的存儲器陣列102的一行內的相應存儲單元。例如，字線wl1至wl2可以連接至行中的存儲單元202a,1，并且字線wl3至wl4可以連接至第二行中的第二存儲單元202b,1。在一些實施例中，多條字線wl1至wl4可以與襯底402分隔開非零距離d。第二互連層406b布置在調節訪問裝置108和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至限定位線bl1的第三互連層406c。電子料回收價格優惠，請找上海海谷電子有限公司，歡迎新老客戶來電！

導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！甘肅電感元件回收網

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基于訓練數據獲取經加權值36。接下來，進入推理/分類階段314。在推理/分類階段314中，mlc42基于經加權值36對驗證數據進行分類。在驗證數據的分類之后，使用者將這種分類與參考分類進行比較，從而獲得一校正率。如果這樣的校正率滿足在操作504中在規范中獲得的所需校正率，則推理/分類階段314結束，并且進入預測階段316。如果校正率不滿足所需的校正率，則重復上述過程。圖8的流程圖說明根據本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的預測階段316。參照圖8，不執行操作502的評估。mlc42控制src電路104而不需要人力。因此，使用mlc42來調整回轉率是相對方便的。圖9是根據本公開的一些實施例的圖3的機器學習電路42的電路圖。參考圖9，mlc42包括一測量電路60、一數據庫70和一分類器電路80。測量電路60經配置以通過實際測量信號dout來獲取信號dout的一實際電壓vout，并提供實際電壓vout。實際電壓vout的微分決定信號dout的實際回轉率。測量電路60將多個實際電壓vout值提供給數據庫70以存儲在數據庫70。數據庫70將實際電壓vout提供給使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的顯示器上顯示實際電壓vout。分類器電路80從數據庫70獲得電壓vout。此外。天津電子料上門回收價格

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