三極管|光敏晶體管|低頻放大三極管|功率開關晶體管|其他三極管⑷電子材料|電容器極板材料|導電材料|電極材料|光學材料|測溫材料|半導體材料|屏蔽材料|真空電子材料|覆銅板材料|壓電晶體材料|電工陶瓷材料|光電子功能材料|強電、弱電用接點材料|激光工質|電子元器件薄膜材料|電子玻璃|類金剛石膜|膨脹合金與熱雙金屬片|電熱材料與電熱元件|其它電子材料⑸電容器|云母電容器|鋁電解電容器|真空電容器|漆電容器|復合介質電容器|玻璃釉電容器|有機薄膜電容器|導電塑料電位器|紅外熱敏電阻|氣敏電阻器|陶瓷電容器|鉭電容器|紙介電容器|電子電位器|磁敏電阻/電位器|濕敏電阻器|光敏電阻/電位器|固定電阻器|可變電阻器|排電阻器|熱敏電阻器|熔斷電阻器|其它電阻/電位器⑹連接器|端子|線束|卡座|IC插座|光纖連接器|接線柱|電纜連接器|印刷板連接器|電腦連接器|手機連接器|端子臺、接線座|其他連接器⑺電位器|合成碳膜電位器|直滑式電位器|貼片式電位器|金屬膜電位器|實心電位器|單圈、多圈電位器|單連、雙連電位器|帶開關電位器|線繞電位器|其他電位器⑻保險元器件|溫度開關|溫度保險絲|電流保險絲|保險絲座|自恢復熔斷器|其他保險元器件⑼傳感器|電磁傳感器|敏感元件|光電傳感器|光。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎您的來電哦！上海批量電子物料回收網
因應于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經學習電壓(w(i)*vt)。在進入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調整信號dout的回轉率。圖12的示意圖說明根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設一學習速率η是；一預設電壓vt為；一實際電壓vout為，小于預設電壓vt。在理想狀況下，比較器800應該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導體工藝技術或低噪聲邊界的不良結果所引起的。使用者人工識別這種錯誤分類。使用者向減法器電路802提供邏輯低(“0”)。據此，減法器電路802向分壓器804提供邏輯高(“1”)。加法器電路806將差值*(v1(i)-vc(i)加至數值為1的預設權重，并提供反相經更新權重的。反相器810反相反相經更新權重，并提供經更新權重的。暫存器812將預設權重的1更新為更新權重的。乘法器814將預設電壓的，并將經學習電壓的。暫存器816將預設電壓的，經學習電壓的。經學習電壓的。如果隨后的實際電壓vout接近先前的實際電壓vout，則獲得正確分類的機率隨著經學習電壓的，相較于預設電壓的。結果。內蒙古高價電子元器件回收處理電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！
在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。表達式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照圖7，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述。
根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標準單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應晶體管(finfet)的標準單元scl的一部分。圖12a是圖11的標準單元scl沿線a-a'的截面圖。圖12b是圖11的標準單元scl沿b-b'線的截面圖。圖12c是圖11的標準單元scl沿線c-c'的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標準單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需要可以聯系我司哦！
6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結構包括單元線路結構和第二單元線路結構，第二單元線路結構在方向上與單元線路結構相鄰，第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構包括六條金屬線和四條柵極線。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的六條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的六條金屬線在方向上布置成交替地具有金屬節距和第二金屬節距。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的四條柵極線通過單圖案化形成，并且每個單元線路結構的四條柵極線在方向上布置成具有相等的柵極節距。通常。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，有需求可以來電咨詢！遼寧晶振回收
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并且也可以包括在部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實施例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個實施例和和布置的具體實例等空間相對術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉90度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應的解釋。磁阻式隨機存取存儲器(mram)單元包括垂直布置在導電電極之間的磁隧道結(mtj)。mtj包括通過隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態的(即，固定的)，而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態，低電阻狀態數字化地將數據存儲為位值(例如，邏輯“1”)。反平行配置提供高電阻狀態，高電阻狀態數字化地將數據存儲為第二位值(例如，邏輯“0”)。隨著集成芯片的功能增多。上海批量電子物料回收網
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