本發(fā)明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實現(xiàn)變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環(huán)；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環(huán)，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發(fā)明能夠帶來以下優(yōu)點：實現(xiàn)了更大功率，更高效率的IC集成電源；以少的通道實現(xiàn)了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。在此指明，以上敘述有助于本領域技術人員理解本發(fā)明創(chuàng)造，但并非限制本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍。任何沒有脫離本發(fā)明創(chuàng)造實質(zhì)內(nèi)容的對以上敘述的等同替換、修飾改進和/或刪繁從簡而進行的實施，均落入本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍。電子料回收價格優(yōu)惠，請找上海海谷電子有限公司，歡迎新老客戶來電！上海電子料庫存回收中心

可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復合單元，還可以是諸如主從觸發(fā)器或鎖存器的存儲單元。標準單元庫可以包括關于多個標準單元的信息。例如，標準單元庫可以包括標準單元的名稱和功能，以及標準單元的時序信息、功率信息和布圖信息。標準單元庫可以存儲在存儲裝置中，并且標準單元庫可以通過訪問存儲裝置來設置。基于輸入數(shù)據(jù)和標準單元庫執(zhí)行布局和布線(s30)，并且基于布局和布線的結果設置定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)(s40)。在一些示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是諸如通過將集成電路合成而生成的比特流或網(wǎng)表的數(shù)據(jù)時，輸出數(shù)據(jù)可以是比特流或網(wǎng)表。在其他示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)(例如，具有圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)ii(gdsii)格式的數(shù)據(jù))時，輸出數(shù)據(jù)的格式也可以是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)。通過圖13的方法設計和制造的集成電路可以包括半導體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照圖1至圖10所述，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數(shù)并且多個單元線路結構布置在方向上。圖14是示出根據(jù)示例實施例的集成電路的設計系統(tǒng)的框圖。參照圖14，設計系統(tǒng)1000可以包括存儲介質(zhì)1100、設計模塊1400和處理器1500。上海電子料庫存回收中心上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有想法可以來我司咨詢！

夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內(nèi)層ito為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種實施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓寬，使用ttl串口，很容易嵌入到手持設備中。支持協(xié)議:iso15693尺寸大小:長x寬x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作電壓:～工作頻率：支持標簽：讀卡距離：5～10cm通信接口:ttluart，方便與單片機或嵌入式系統(tǒng)連接。本所述所述錄入裝置的使用過程為：將單片pcba放到軟件錄入裝置中，扣合裝置，程序自動識別主板并錄入預置的軟件，錄入成功顯示pass,錄入失敗則顯示fail，非常的方便。針對工廠需求，治具與電腦結合來提升產(chǎn)品的質(zhì)量，電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)。

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節(jié)距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節(jié)距小或精確。參照圖4f，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側壁間隔件261至266。261形成為側壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件。總而言之，261可以被稱為側壁間隔件。側壁間隔件261至266在方向x上具有節(jié)距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側壁間隔件(例如。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！

6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結構布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結構包括單元線路結構和第二單元線路結構，第二單元線路結構在方向上與單元線路結構相鄰，第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構包括六條金屬線和四條柵極線。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的六條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的六條金屬線在方向上布置成交替地具有金屬節(jié)距和第二金屬節(jié)距。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的四條柵極線通過單圖案化形成，并且每個單元線路結構的四條柵極線在方向上布置成具有相等的柵極節(jié)距。通常。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！上海電子料庫存回收中心

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所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側設置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側設置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發(fā)明技術效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。上海電子料庫存回收中心