在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區、外延特征、隔離結構、鰭狀半 導體區域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術形成所述介電層。參照圖4b，在設置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，歡迎您的來電！江西電子元件物料回收收購

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。 圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標準單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應晶體管(finfet)的標準單元scl的一部分。圖12a是圖11的標準單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標準單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標準單元scl沿線c-c的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標準單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。福建高價電子元器件回收網上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來我司咨詢。

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發 明 公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數據的觸摸屏。該種輸入設備功能較為單一，輸入設備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態輸入性較差。針對于目前工廠對產品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領域技術人員努力的方向。

每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12 。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發明人發現，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現要素：本發明針對現有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯系我司哦！廣東進口晶振回收廠家

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所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內。本發明技術方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環形槽中固定有磁環。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發明技術效果如下：本發明一種集成電路基板。江西電子元件物料回收收購

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