每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節距和第二柵極節距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節距、第二金屬節距、金屬節距和第三金屬節距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節距、第二柵極節距、柵極節距和第三柵極節距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在所述方法的一些實施例中。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，歡迎您的來電！江蘇集成電路回收

轉動環24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機構2能夠方便散熱機構3與芯片本體1進行連接。散熱機構3包括與l形桿23側壁固定連接的空心導熱塊31，空心導熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動連接，空心導熱塊31的上表面固定連通有多個連通管32，多個同側連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個第二連通管34，多個同側第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。第二空心散熱塊35的頂端固定連接有多個錐形塊4，錐形塊4能夠便捷水珠凝結。空心導熱塊31的外壁固定連通有導管5，導管5遠離空心導熱塊31的一端螺紋連接有管蓋6，導管5便于向空心導熱塊32內加水。空心導熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35的材質均為不銹鋼，且能夠避免空心導熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35銹蝕損壞。本實用新型中，當芯片本體1與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿23插入螺紋塊21的凹槽22中，接著通過螺母25與螺紋塊21連接。浙江呆滯料回收廠家回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！

具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現，本實用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結構示意圖；圖2為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結構示意圖。

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！

工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結構與調節mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置為存儲第二數據狀態。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，本發明涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結構內的互連層，互連層通過介電結構與襯底分隔開；以及調節mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調節訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調節mtj器件，調節mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，互連層從工作mtj器件正下方連續延伸至調節mtj器件正下方。在一些實施例中，集成電路還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實施例中，調節mtj器件與第二調節mtj器件具有不同的尺寸。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電哦！北京三極管回收中心

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可以使用側壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距的目標圖案。圖5至圖10是示出應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節距pdm并且雙倍心軸節距pdm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。江蘇集成電路回收

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