圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！河北電子元件回收收購

集成電路300可以包括在方向x上重復布置的多個單元線路結構uws。每個單元線路結構uws包括如上所述的6n條列金屬線和4n條柵極線。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。參照圖17，移動裝置4000可以包括至少一個應用處理器4100、通信模塊4200、顯示/觸摸模塊4300、存儲裝置4400和緩沖ram4500。應用處理器4100可以控制移動裝置4000的操作。通信模塊4200被實現為與外部裝置執行無線或有線通信。顯示/觸摸模塊4300被實現為顯示由應用處理器4100處理的數據和/或通過觸摸板接收數據。存儲裝置4400被實現為存儲用戶數據。存儲裝置4400可以是嵌入式多媒體卡(emmc)、固態驅動器(ssd)、通用閃存(ufs)裝置等。如上所述，存儲裝置4400可以執行映射數據和用戶數據的高速緩存。緩沖ram4500可以臨時地存儲用于處理移動裝置4000的操作的數據。例如，緩沖ram4500可以是易失性存儲器，諸如，雙倍數據速率(ddr)同步動態隨機存取存儲器(sdram)、低功率雙倍數據速率(lpddr)sdram、圖形雙倍數據速率(gddr)sdram、rambus動態隨機存取存儲器(rdram)等。根據如上所述的示例實施例，移動裝置4000中的至少一個組件可以包括具有單元線路結構的集成電路。這樣。四川電子元器件回收中心上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率 更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中?，F有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發明人發現，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現要素：本發明針對現有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站、膝上型計算機、數字tv、機頂盒、便攜式、導航系統、可穿戴裝置、物聯網(iot)裝置、萬物網(ioe)裝置、電子書、虛 擬現實(vr)裝置、增強現實(ar)裝置等的系統。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已經描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在實質上不脫離本發明構思的情況下，可以在示例實施例中進行許多修改。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內。本發明技術方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于 芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環形槽中固定有磁環。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發明技術效果如下：本發明一種集成電路基板?；厥?，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！福建廢棄電子料回收聯系方式

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每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。 柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。河北電子元件回收收購

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