每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。 柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！天津電子元器件回收量大從優

可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復合單元，還可以是諸如主從觸發器或鎖存器的存儲單元。標準單元庫可以包括關于多個標準單元的信息。例如，標準單元庫可以包括標準單元的名稱和功能，以及標準單元的時序信息、功率信息和布圖信息。標準單元庫可以存儲在存儲裝置中，并且標準單元庫可以通過訪問存儲裝置來設置。基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線(s30)，并且基于布局和布線的結果設置定義集成電路的輸出數據(s40)。在一些示例實施例中，當接收的輸入數據是諸如通過將集成電路合成而生成的比特流或網表的數據時，輸出數據可以是比特流或網表。在其他示例實施例中，當接收的輸入數據是定義集成電路的布圖的數據(例如，具有圖形數據系統ii(gdsii)格式的數據)時，輸出數據的格式也可以是定義集成電路的布圖的數據。通過圖13的方法設計和制造的集成電路可以包括半導體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照圖1至圖10所述，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數并且多個單元線路結構布置在方向上。圖14是示出根據示例實施例的集成電路的設計系統的框圖。參照圖14，設計系統1000可以包括存儲介質1100、設計模塊1400和處理器1500。陜西電子物料回收收購回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電哦！

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。

每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節距和第二柵極節距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節距、第二金屬節距、金屬節距和第三金屬節距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節距、第二柵極節距、柵極節距和第三柵極節距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在所述方法的一些實施例中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有需求可以來電咨詢！

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結 合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！黑龍江二極管回收市場

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電腦顯示工作狀態及數據，與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于：本實用新型所述集成電路軟件快速錄入裝置,可隨時查看工作狀態及各項監測數據， 方便操作者使用，使得產品調試快捷。附圖說明圖1是本實用新型集成電路軟件快速錄入裝置的原理結構示意圖。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1所示，一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端裝置和顯示器，其中：所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數據監測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數據線與遠程后臺服務器連接。所述數據監測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。其中，下載判斷模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊均為手機監測的常用模塊，采用現有的技術。校準綜測模塊包括對主板的校準，主板校準主要包括發射機和接收機的射頻指標校準。天津電子元器件回收量大從優

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