1可以包括工作mtj器件106和調節訪問裝置108，調節訪問裝置108具有形成在第三互連層406c和第四互連層406d之間的調節mtj器件204和206。第二存儲單元202b,1可以根據與關于圖9至圖11描述的那些類似的步驟形成。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法1300的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調節訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法300示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解， 這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或實施例都是需要的，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟1302中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內。圖9示出了對應于步驟1302的一些實施例的截面圖900。在步驟1304中，在互連層的連續上表面正上方形成多個底電極通孔。圖10示出了對應于步驟1304的一些實施例的截面圖1000。在步驟1306中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！江蘇IC電子料回收聯系方式

本實用新型涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環、一接地環及至少一防護環的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環電連接，防護環設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發大量的熱量，但現有的芯片散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片的使用壽命。技術實現要素：本實用新型的目的是為了解決現有技術中集成電路芯片的散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片使用壽命的問題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。北京三極管回收回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！

集成電路300可以包括在方向x上重復布置的多個單元線路結構uws。每個單元線路結構uws包括如上所述的6n條列金屬線和4n條柵極線。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。參照圖17，移動裝置4000可以包括至少一個應用處理器4100、通信模塊4200、顯示/觸摸模塊4300、存儲裝置4400和緩沖ram4500。應用處理器4100可以控制移動裝置4000的操作。通信模塊4200被實現為與外部裝置執行無線或有線通信。顯示/觸摸模塊4300被實現為顯示由應用處理器4100處理的數據和/或通過觸摸板接收數據。存儲裝置4400被實現為存儲用戶數據。存儲裝置4400可以是嵌入式多媒體卡(emmc)、固態驅動器(ssd)、通用閃存(ufs)裝置等。如上所述，存儲裝置4400可以執行映射數據和用戶數據的高速緩存。緩沖ram4500可以臨時地存儲用于處理移動裝置4000的操作的數據。例如，緩沖ram4500可以是易失性存儲器，諸如，雙倍數據速率(ddr)同步動態隨機存取存儲器(sdram)、低功率雙倍數據速率(lpddr)sdram、圖形雙倍數據速率(gddr)sdram、rambus動態隨機存取存儲器(rdram)等。根據如上所述的示例實施例，移動裝置4000中的至少一個組件可以包括具有單元線路結構的集成電路。這樣。

本發明涉及集成電路封裝技術，特別是一種集成電路基板，所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內。背景技術：由于新能源的大力發展，隔離應用要求越來越多和隔離電壓越來越高，而半導體隔離技術取代傳統光耦技術效率更高，集成度更高，支持更高傳輸速率,符合行業發展的需求。封裝基板正在成為集成電路封裝領域一個重要的和發展迅速的行業,有機基板工藝大批量使用在BGA球陣列封裝，多芯片封裝工藝中。現有技術中的采用微變壓器方案，電源功率只有％。由于電感量不夠大，信號傳輸不得不采用180MHz的調制信號，電路非常復雜，并且電路中的磁路不閉合，漏磁大，EMI電磁干擾空間輻射大。本發明人發現，對于采用微變壓器方案的半導體隔離技術，由于微變壓器方案電感量，耦合系數太低，也增加了傳輸電路的復雜程度，集成的電源效率差。有的電容式隔離器，用戶需要外加變壓器。另外，電容式隔離不能內部集成開關的電源，客戶使用不方便。技術實現要素：本發明針對現有技術中存在的缺陷或不足，提供一種集成電路基板。上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來電咨詢！

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節 距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！江蘇IC電子料回收聯系方式

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可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據一些示例實施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標準單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應的電力軌對。根據示例實施例，如圖16中所示。江蘇IC電子料回收聯系方式

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