具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現，本實用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結構示意圖；圖2為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結構示意圖。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待為您服務！江西電子元器件回收價格

隔線板7的存在，可以有效地將信號線束收集整理，可以防止顯示驅動集成電路結構內的信號線雜亂，影響裝置運行和檢修，并且通過設置可插拔的方形橡膠塞8隔斷信號線，便于根據信號線的接入位置隨意調節橡膠塞8的位置，靈活方便。主板1的下方安裝有信號接頭9，信號接頭9包括母頭91、卡扣92和93，母頭91的兩側設置有卡扣92，卡扣92的底端焊接在93的上方，母頭91焊接在主板1的底部，93連接在信號線上，設置信號接頭9來取代將信號線直接焊接在主板1上，能夠便于后期對信號線的的檢修和更換。主板1的邊角處裝設有減震螺栓10，減震螺栓10包括螺桿101、彈簧102、墊片103、第二墊片104、第二彈簧105和限位塊106，螺桿101的頂部套設有彈簧102，彈簧102的下方焊接有墊片103，墊片103的下方安裝有第二墊片104，第二墊片104的下方焊接有第二彈簧105，第二彈簧105的下方焊接在限位塊106的頂端，減震螺栓10共設置有四組，且四組減震螺栓10分別安裝在主板1的四個邊角上，設置四組減震螺栓10來固定主板1，可以有效地削弱主板1受到的外界震動，防止主板1上的電子元件2受到震動擾運行。減震螺栓10的下方焊接有支撐桿11，支撐桿11的內部安裝有緊固螺栓12，緊固螺栓12的下方套設有連桿13。云南高價電子元器件回收市場上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有需要可以聯系我司哦！

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節 距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。

集成電路300可以包括在方向x上重復布置的多個單元線路結構uws。每個單元線路結構uws包括如上所述的6n條列金屬線和4n條柵極線。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。參照圖17，移動裝置4000可以包括至少一個應用處理器4100、通信模塊4200、顯示/觸摸模塊4300、存儲裝置4400和緩沖ram4500。應用處理器4100可以控制移動裝置4000的操作。通信模塊4200被實現為與外部裝置執行無線或有線通信。顯示/觸摸模塊4300被實現為顯示由應用處理器4100處理的數據和/或通過觸摸板接收數據。存儲裝置4400被實現為存儲用戶數據。存儲裝置4400可以是嵌入式多媒體卡(emmc)、固態驅動器(ssd)、通用閃存(ufs)裝置等。如上所述，存儲裝置4400可以執行映射數據和用戶數據的高速緩存。緩沖ram4500可以臨時地存儲用于處理移動裝置4000的操作的數據。例如，緩沖ram4500可以是易失性存儲器，諸如，雙倍數據速率(ddr)同步動態隨機存取存儲器(sdram)、低功率雙倍數據速率(lpddr)sdram、圖形雙倍數據速率(gddr)sdram、rambus動態隨機存取存儲器(rdram)等。根據如上所述的示例實施例，移動裝置4000中的至少一個組件可以包括具有單元線路結構的集成電路。這樣。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有想法可以來我司咨詢！

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。 圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標準單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應晶體管(finfet)的標準單元scl的一部分。圖12a是圖11的標準單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標準單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標準單元scl沿線c-c的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標準單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，歡迎新老客戶來電！福建電子元件物料回收市場

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在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。表達式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照圖7，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述。江西電子元器件回收價格

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