每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節距和第二柵極節距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節距、第二金屬節距、金屬節距和第三金屬節距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節距、第二柵極節距、柵極節距和第三柵極節距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在所述方法的一些實施例中。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！陜西電容電阻回收公司

本實用新型屬于數據錄入裝置技術領域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術：傳統依靠計算機鍵盤進行信息錄入模式，已經不能滿足復雜生產環境下數據錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數字化的數據錄入方法成為新形勢下的目標。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種手持式采油工數據錄入儀”的 公開了一種油田采油生產中技術參數和資料的錄入裝置。其特 征在于：該裝置主要包括一個4×4的鍵盤，一個 處理器cpu，兩個鐵電存儲器32k×2和一個多路選擇器。該種數據錄入裝置結構較為簡單，只能根據預設置流程和界面進行操作，操作界面死板，動態輸入性較差，從而根據數據解析的設置簡單。如中國發明專利公開號“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機”的 公開了一種多媒體指紋考勤機，包括了微處理器、指紋采集器、存儲器、揚聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數據的觸摸屏。該種輸入設備功能較為單一，輸入設備操作不方便，主要為通過指紋觸摸對固定指令進行操作，動態輸入性較差。針對于目前工廠對產品制造良率的要求越來越高；工人人工操作機器容易疲勞且容易出錯誤判的問題，如何解決成為了該領域技術人員努力的方向。貴州電子元器件回收廠家回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯系我司哦！

夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內層ito為屏蔽層以保證良好的工作環境。當手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數據傳輸連接并存儲該數據。作為一種實施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓寬，使用ttl串口，很容易嵌入到手持設備中。支持協議:iso15693尺寸大小:長x寬x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作電壓:～工作頻率：支持標簽：讀卡距離：5～10cm通信接口:ttluart，方便與單片機或嵌入式系統連接。本所述所述錄入裝置的使用過程為：將單片pcba放到軟件錄入裝置中，扣合裝置，程序自動識別主板并錄入預置的軟件，錄入成功顯示pass,錄入失敗則顯示fail，非常的方便。針對工廠需求，治具與電腦結合來提升產品的質量，電腦顯示工作狀態及數據。

四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節距pqm，四倍心軸節距pqm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導電層ccl中形成十二條列金屬線 ml1至ml12。每個單元線路結構的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復地具有金屬節距pm21、第二金屬節距pm22、金屬節距pm21和第三金屬節距pm23。金屬節距pm21、第二金屬節距pm22和第三金屬節距pm23可以由表達式4表示。表達式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結構的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結構uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節距pg2。柵極節距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節距。參照圖9。上海海谷電子有限公司回收值得用戶放心。

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有需求可以來電咨詢！上海電容電阻回收市場

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具備以下有益效果：該組合式集成電路芯片，通過設置有空心導熱塊、空心散熱塊和第二空心散熱塊，當芯片本體與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿插入螺紋塊的凹槽中，接著通過螺母與螺紋塊連接，達到固定散熱機構的目的，之后打開管蓋，并通過導管向空心導熱塊內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋，在芯片本體工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊吸收，同時空心導熱塊內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管和第二連接管進入到空心散熱塊和第二散熱塊中，利用空心散熱塊和第二空心散熱塊較 大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。該裝置中未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現，本實用新型能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。附圖說明圖1為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片的結構示意圖；圖2為本實用新型提出的一種組合式集成電路芯片a部分的結構示意圖。陜西電容電阻回收公司

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