圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待為您服務！湖北電子料高價回收收購
所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設置容納磁環的環形槽，有利于提高或擴展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環內外分布的過孔進行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內。本發明技術方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結合于芯板表面的上覆銅層以及結合于芯板底面 的下覆銅層，所述芯板上設置有開口朝上的環形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環形槽中固定有磁環。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環形槽的對應處設置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發明技術效果如下：本發明一種集成電路基板。福建晶振回收處理上海海谷電子有限公司為您提供回收，有想法的可以來電咨詢！
導電覆蓋層可以由金屬氮化物(例如，tin、tan、它們的組合等)形成。間隙填充金屬層可以填充有源區ac之間的空間并且在導電覆蓋層上延伸。間隙填充金屬層可以由w(例如，鎢)層形成。間隙填充金屬層可以例如通過使用ald方法、cvd方法或物相沉積(pvd)方法形成。多個導電接觸件ca和cb可以位于有源區ac上的層ly1上。多個導電接觸件ca和cb包括連接到有源區ac的源區/漏區116的多個接觸件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(參見圖12b)和連接到柵極線pc11、12、13、14、15和16的多個第二接觸件cb41、42和43(參見圖12a和12c)。多個導電接觸件ca和cb可以通過覆蓋有源區ac和柵極線pc的層間絕緣層132彼此絕緣。多個導電接觸件ca和cb可以具有與層間絕緣層132的上表面基本處于同一水平處的上表面。層間絕緣層132可以是氧化硅層。第二層間絕緣層134和穿過第二層間絕緣層134的多個下通孔接觸件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于層間絕緣層132上。第二層間絕緣層134可以是氧化硅層。在高于層ly1(例如，沿著第三方向z距基底110更遠)的第二層ly2上沿方向x延伸的多條線路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二層間絕緣層134上。
可以使用側壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距的目標圖案。圖5至圖10是示出應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節距pdm并且雙倍心軸節距pdm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！
存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執行。例如。回收，就選上海海谷電子有限公司，歡迎客戶來電！中國臺灣電子物料回收服務
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