可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照?qǐng)D4a至圖4i描述的心軸圖案對(duì)應(yīng)，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照?qǐng)D5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照?qǐng)D5、圖6和圖7，單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個(gè)可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照?qǐng)D4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標(biāo)簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節(jié)距pdm并且雙倍心軸節(jié)距pdm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個(gè)，可以使用三個(gè)雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供回收的公司，有想法可以來我司咨詢！山東進(jìn)口晶振回收廠家

根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路以及制造和設(shè)計(jì)所述集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)uws1至uws6來提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。在下文中，參照可以支持根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標(biāo)準(zhǔn)單元的示例結(jié)構(gòu)。圖11實(shí)質(zhì)上是示意的，圖11中未示出上述實(shí)施例的所有特征。圖2示出在一些實(shí)施例中金屬線“ml”相對(duì)于柵極線“gl”以6比4的比率出現(xiàn)。 圖5和圖7示出單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實(shí)施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實(shí)施例。圖11是示出示例標(biāo)準(zhǔn)單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)的標(biāo)準(zhǔn)單元scl的一部分。圖12a是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線a-a的截面圖。圖12b是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿b-b線的截面圖。圖12c是圖11的標(biāo)準(zhǔn)單元scl沿線c-c的截面圖。參照?qǐng)D11、圖12a、圖12b和圖12c，標(biāo)準(zhǔn)單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實(shí)施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。河南電子料庫存回收平臺(tái)回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電！

示出了一個(gè)處理器1500。可選地，多個(gè)處理器可以包括在設(shè)計(jì)系統(tǒng)1000中。此外，處理器1500可以包括增加計(jì)算容量的高速緩存存儲(chǔ)器。這樣，根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路和設(shè)計(jì)集成電路的方法可以通過單元線路結(jié)構(gòu)提高集成電路的設(shè)計(jì)效率和性能。圖15是示出圖14的設(shè)計(jì)系統(tǒng)的示例操作的流程圖。參照?qǐng)D14和圖15，設(shè)計(jì)模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的標(biāo)準(zhǔn)單元庫1110，以便提取與輸入數(shù)據(jù)di對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)單元，并且可以使用提取的標(biāo)準(zhǔn)單元執(zhí)行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對(duì)布局的單元執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。當(dāng)信號(hào)布線不成功時(shí)(s14：否)，布局模塊1200可以替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，例如，可以用另一標(biāo)準(zhǔn)單元替換至少一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元，以修改單元的布局(s15)。布線模塊1300可以針對(duì)修改的布局再次執(zhí)行信號(hào)布線(s13)。這樣，可以重復(fù)地布局和布線，直到成功完成信號(hào)布線。當(dāng)信號(hào)布線成功完成時(shí)(s14：是)，設(shè)計(jì)模塊1400可以生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)do(s16)。圖16是示出根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的布圖的示圖。圖16的集成電路300可以是集成電路(asic)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數(shù)據(jù)線與遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態(tài)顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊相連；所述數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊包括下載判斷模塊、校準(zhǔn)綜測(cè)模塊、開機(jī)模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)模塊傳輸連接。作為方式之一，所述電容式觸摸模塊包括感應(yīng)觸控芯片，感應(yīng)觸控芯片與微處理器中的數(shù)據(jù)讀寫模塊數(shù)據(jù)傳輸連接。作為方式之一，所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)。作為一種方式之一，所述遠(yuǎn)程后臺(tái)服務(wù)器通過tcp/ip協(xié)議與無線網(wǎng)關(guān)裝置相連。作為一種方式之一，無線網(wǎng)關(guān)裝置通過無線傳輸方式與通訊模塊相連。本實(shí)用新型針對(duì)工廠需求，治具與電腦結(jié)合來提升產(chǎn)品的質(zhì)量。上海海谷電子有限公司回收獲得眾多用戶的認(rèn)可。

將磁芯或者說磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對(duì)應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過20等)。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術(shù)實(shí)現(xiàn) 精確打孔)。所述若干外過孔包括初級(jí)繞組外過孔和次級(jí)繞組外過孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過孔21等)，所述若干內(nèi)過孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過孔和次級(jí)繞組內(nèi)過孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過20等)。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電哦！山東進(jìn)口晶振回收廠家

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在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半 導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。山東進(jìn)口晶振回收廠家

上海海谷電子有限公司一直專注于上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷售的公司。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和雄厚的經(jīng)濟(jì)實(shí)力，可提供全國各地上門服務(wù)、**評(píng)估，工廠呆滯的電子元器件庫存回收。 　　我司長期回收各類呆滯電子元器件庫存，包括芯片，內(nèi)存，CPU，電容，電阻，二、三極管，電感，晶振，繼電器，開關(guān)等。長期一站式高價(jià)，回收工廠呆滯庫存。，是一家電子元器件的企業(yè)，擁有自己**的技術(shù)體系。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。公司業(yè)務(wù)范圍主要包括：電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收等。公司奉行顧客至上、質(zhì)量為本的經(jīng)營宗旨，深受客戶好評(píng)。一直以來公司堅(jiān)持以客戶為中心、電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收市場(chǎng)為導(dǎo)向，重信譽(yù)，保質(zhì)量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。