在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。表達式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照圖7，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有想法的可以來電咨詢！山西電感元件回收中心

在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區、外延特征、隔離結構、鰭狀半 導體區域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術形成所述介電層。參照圖4b，在設置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。浙江電子元件回收網上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎您的來電！

每條線路m1可以通過形成在層ly1與第二層ly2之間的多個下通孔接觸件v0中的一個連接到多個導電接觸件ca和cb中的一個。多個下通孔接觸件v0中的每個可以例如通過穿過第二層間絕緣層134連接到多個導電接觸件ca和cb中的一個。多個下通孔接觸件v0可以通過第二層間絕緣層134彼此絕緣。線路m171至78可以包括在標準單元scl中使多個區域電連接的內部連接線路。例如，內部連接線路m178可以通過下通孔接觸件v055和58以及接觸件24和33將器件區rx1中的有源區ac和第二器件區rx2中的有源區ac電連接。線路m171和72可以分別對應于電力軌和第二電力軌。電力軌71可以連接到器件區rx1中的有源區ac。第二電力軌72可以連接到第二器件區rx2中的有源區ac。電力軌71和第二電力軌72中的一個可以是用于供應電源電壓(例如，電源電壓vdd)的線路，而電力軌71和第二電力軌72中的另一個可以是用于供應接地電壓(例如，第二電源電壓vss)的線路。電力軌71和第二電力軌72可以在第二層ly2上沿方向x彼此平行地延伸。在一些示例實施例中，電力軌71和72可以與其他線路m173至78基本同時形成。線路m1可以穿過第三層間絕緣層136。第三層間絕緣層136可以使線路m1彼此絕緣。

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站 、膝上型計算機、數字tv、機頂盒、便攜式、導航系統、可穿戴裝置、物聯網(iot)裝置、萬物網(ioe)裝置、電子書、虛擬現實(vr)裝置、增強現實(ar)裝置等的系統。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已經描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在實質上不脫離本發明構思的情況下，可以在示例實施例中進行許多修改。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來我司咨詢。

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結 合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！江西電子物料回收平臺

上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待您的光臨！山西電感元件回收中心

將磁芯或者說磁環所處的覆銅芯板靠近電路板內側的銅箔蝕刻掉)。所述環形槽中固定有磁環(例如，對應各環形槽的磁環4，第二磁環5，第三磁環6等)。沿所述環形槽的外圈外側設置有若干外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，沿所述環形槽的內圈內側設置有若干內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。所述外過孔和內過孔均采用激光打孔(例如，激光過孔技術實現精確打孔)。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔(例如，環初級繞組外過孔10，環次級繞組外過13，第二環初級繞組外過14，第二環次級繞組外過孔17，第三環初級繞組外過18，第三環次級繞組外過孔21等)，所述若干內過孔包括初級繞組內過孔和次級繞組內過孔(例如，環次級繞組內過孔11，環次級繞組內過孔12，第二環初級繞組內過孔15，第二環次級繞組內過16，第三環初級繞組內過孔19，第三環次級繞組內過20等)。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成(也就是說。山西電感元件回收中心

上海海谷電子有限公司擁有上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷售的公司。公司擁有專業的技術團隊和雄厚的經濟實力，可提供全國各地上門服務、**評估，工廠呆滯的電子元器件庫存回收。 　　我司長期回收各類呆滯電子元器件庫存，包括芯片，內存，CPU，電容，電阻，二、三極管，電感，晶振，繼電器，開關等。長期一站式高價，回收工廠呆滯庫存。等多項業務，主營業務涵蓋電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收。公司目前擁有專業的技術員工，為員工提供廣闊的發展平臺與成長空間，為客戶提供高質的產品服務，深受員工與客戶好評。公司以誠信為本，業務領域涵蓋電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收，我們本著對客戶負責，對員工負責，更是對公司發展負責的態度，爭取做到讓每位客戶滿意。一直以來公司堅持以客戶為中心、電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收市場為導向，重信譽，保質量，想客戶之所想，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要。