可以通過執行標準單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標準單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區域對應的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據一些示例實施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標準單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應的電力軌對。根據示例實施例，如圖16中所示。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有需求可以來電咨詢！四川電容電阻回收平臺

所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。湖南電子元器件回收網上海海谷電子有限公司致力于提供回收，歡迎您的來電！

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。實施例可以應用于任何電子裝置和系統。例如，實施例可以應用于諸如存儲器卡、固態驅動器(ssd)、嵌入式多媒體卡(emmc)、移動電話、智能電話、個人數字助理(pda)、便攜式多媒體播放器(pmp)、數碼相機、便攜式攝像機、個人計算機(pc)、服務器計算機、工作站、膝上型計算機、數字tv、機頂盒、便攜式、導航系統、可穿戴裝置、物聯網(iot)裝置、萬物網(ioe)裝置、電子書、虛擬現實(vr)裝置、增強現實(ar)裝置等的系統。前述內容是對示例實施例的說明，而不應被解釋為對其進行限制。盡管已經描述了一些示例實施例，但是本領域技術人員將容易理解，在實質上不脫離本發明構思的情況下，可以在示例實施例中進行許多修改。

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節距小或精確。參照圖4f，執行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側壁間隔件261至266。261形成為側壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件。總而言之，261可以被稱為側壁間隔件。側壁間隔件261至266在方向x上具有節距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側壁間隔件(例如。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待您的光臨！

在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件。圖10示出了對應于步驟1306的一些實施例的截面圖1000。在步驟1308中，在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。圖11示出了對應于步驟1308的一些實施例的截面圖1100。在步驟1310中，在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的第二互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。圖11示出了對應于步驟1310的一些實施例的截面圖1100。步驟1302至1310在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中，可以重復步驟1302至1310(如步驟1312所示)以在存儲單元上方形成第二存儲單元。圖12示出了對應于步驟1312的一些實施例的截面圖1200。雖然方法1300描述了包括具有調節訪問裝置(包括mtj器件)的存儲單元(例如，mram單元)的方法存儲器電路，但是應該理解，在其它實施例中，調節裝置可以包括電阻器(例如，薄膜電阻器)。在這樣的實施例中，工作mtj器件可以通過組操作(在步驟1306中)形成，而包括電阻器的調節裝置可以通過第二組單獨的操作(在步驟1306和步驟1308之間發生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步驟1306中)之后，可以通過一個或多個沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此，在一些實施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的不要錯過哦！福建電感元件回收網

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工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結構與調節mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置為存儲第二數據狀態。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，本發明涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結構內的互連層，互連層通過介電結構與襯底分隔開；以及調節mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調節訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調節mtj器件，調節mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，互連層從工作mtj器件正下方連續延伸至調節mtj器件正下方。在一些實施例中，集成電路還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實施例中，調節mtj器件與第二調節mtj器件具有不同的尺寸。在一些實施例中。四川電容電阻回收平臺

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