所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待為您服務！湖南集成電路回收服務

包括：在襯底上方形成互連層；在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件，所述一個或多個調節mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成第二互連層，其中，所述互連層和所述第二互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。圖2示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括調節mtj器件，該調節mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖3a至圖3c示出了圖2的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖4a至圖4b示出了對應于圖2的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖5a至圖5b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。青海集成電路回收收購上海海谷電子有限公司致力于提供回收，竭誠為您服務。

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執行。例如。

可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。在一些實施例中，第三柵極節距pg23是距下一個單元線路結構的距離。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。表達式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表達式3中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wqg表示四倍心軸圖案qpg的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。在下文中，將參照圖8、圖9和圖10描述通過saqp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖8、圖9和圖10，單元線路結構uws4、uws5和uws6中的每個可以包括分別布置在方向x上的十二條列金屬線ml1至ml12和八條柵極線gl1至gl8。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方順序地形成四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3以及雙心軸圖案dpm1至dmp6。例如。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！

接收關于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓；以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅動器以及一機器學習電路。該驅動器經配置以驅動一信號。該機器學習電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經學習電壓，其中該機器學習電路經配置以基于該經學習電壓來調整該信號的一回轉率。雖然已詳述本公開及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離權利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多工藝，并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者。回收，就選上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！黑龍江電子料高價回收行情

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在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節距小或精確。參照圖4f，執行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側壁間隔件261至266。261形成為側壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件。總而言之，261可以被稱為側壁間隔件。側壁間隔件261至266在方向x上具有節距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側壁間隔件(例如。湖南集成電路回收服務

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