本發明涉及不具有驅動晶體管(即，存取晶體管)的存儲單元(例如，mram單元)。而且，存儲單元包括調節訪問裝置，該調節訪問裝置具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，本發明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調節訪問裝置，調節訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，一個或多個調節mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實施例中，調節mtj器件具有比第二調節mtj器件更大的尺寸。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第二位線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和第二位線連接至位線解碼器。在一些實施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實施例中，集成芯片還包括連接在調節mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，有想法的不要錯過哦！甘肅廢棄電子料回收市場
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所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。
接收關于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓；以及基于該經學習電壓，產生經配置以調整回轉率的預測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅動器以及一機器學習電路。該驅動器經配置以驅動一信號。該機器學習電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經學習電壓，其中該機器學習電路經配置以基于該經學習電壓來調整該信號的一回轉率。雖然已詳述本公開及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離權利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多工藝，并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法的可以來電咨詢！
對更多的存儲器的需求也增加，從而使得集成芯片設計者和制造商必須增加可用存儲器的量，同時減小集成芯片的尺寸和功耗。為了達到這個目標，在過去的幾十年間，存儲單元組件的尺寸已經不斷縮小。mtj器件超越其它存儲器類型的一個優勢是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram單元中，驅動晶體管(即，存取晶體管)用于在讀取和/或寫入操作期間選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅動晶體管限制了存儲器陣列內的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，本發明涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅動晶體管(即，不使用驅動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調節訪問裝置，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問。調節訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調節mtj器件。一個或多個調節mtj器件被配置為通過控制(即。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司。甘肅廢棄電子料回收市場
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圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。甘肅廢棄電子料回收市場
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