可以在多個mtj器件106、204和206上方沉積第二ild層1102，并且然后選擇性地圖案化第二ild層1102以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內形成多個頂電極通孔410。在各個實施例中，第二ild層1102可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔410可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個mtj器件106、204和206上方的第三ild層1104內形成第二互連層406b。在一些實施例中，第二互連層406b包括限定存儲單元202a,1的位線bl1和一條或多條字線wl1至wl2的多個互連結構。在一些實施例中，第三ild層1104可以包括通過一個或多個沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(例如，氧化物、低k電介質或k電介質)。可以通過選擇性地蝕刻第三ild層1104以在第三ild層1104內形成開口來形成第二互連層406b。然后在開口內沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成第二互連層406b。如圖12的截面圖1200所示，可以在存儲單元202a,1上方形成第二存儲單元202b,1。第二存儲單元202b。回收，就選上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！天津批量電子物料回收平臺

每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，雙倍心軸圖案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws5的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以彼此不同。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。參照圖10，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg1和qpg2以及雙倍心軸圖案dpg1至dpg4。例如，四倍心軸圖案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws6的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成順序地且重復地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。山東電子物料回收價格回收，就選上海海谷電子有限公司。

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。

本實用新型涉及集成電路芯片技術領域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環、一接地環及至少一防護環的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環電連接，防護環設置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環電連接。目前集成電路芯片在使用的時候會散發大量的熱量，但現有的芯片散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片的使用壽命。技術實現要素：本實用新型的目的是為了解決現有技術中集成電路芯片的散熱效率較低，導致芯片長時間處于高溫環境中，高溫不光影響芯片運行的流暢度，還會損傷芯片，進而影響芯片使用壽命的問題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。上海海谷電子有限公司是一家專業提供回收的公司，歡迎您的來電！

工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結構與調節mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內的第二工作mtj器件，第二工作mtj器件被配置為存儲第二數據狀態。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，本發明涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結構內的互連層，互連層通過介電結構與襯底分隔開；以及調節mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調節訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調節mtj器件，調節mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，互連層從工作mtj器件正下方連續延伸至調節mtj器件正下方。在一些實施例中，集成電路還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實施例中，調節mtj器件與第二調節mtj器件具有不同的尺寸。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎新老客戶來電！吉林電子芯片回收

上海海谷電子有限公司回收值得用戶放心。天津批量電子物料回收平臺

其中形成線路圖案的至少一個導電層可以插入在柵極層gtl與列導電層ccl之間，和/或至少一個導電層可以設置在列導電層ccl上方。在一些示例實施例中，集成電路還可以包括形成在柵極層gtl與列導電層ccl之間的行導電層中的多條行金屬線，使得行金屬線布置在第二方向y上并且在方向x上延伸。在柵極層gtl上方依次設置的導電層可以稱為m1層、m2層、m3層、m4層等。行導電層可以對應于m1層或m2層，列導電層ccl可以對應于m2層或m3層。圖4a至圖4i是用于描述根據示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。可以參照圖4a至圖4i描述與單圖案化、sadp和saqp相關聯的單元線路結構的節距。參照圖4a至圖4i描述心軸間隔件圖案化(themandrelspacerpatterning)作為示例，但是示例實施例不限于特定的圖案化工藝。在本公開中，單圖案化、sadp和saqp定義如下。單圖案化或直接圖案化表示形成與光刻工藝中的曝光圖案具有相同的平均節距的目標圖案。這里，目標圖案包括根據示例實施例的單元線路結構中所包含的柵極線和列金屬線。sadp表示形成具有與所述曝光圖案的1/2平均節距對應的平均節距的目標圖案。saqp表示形成具有與所述曝光圖案的1/4平均節距對應的平均節距的目標圖案。參照圖4a。天津批量電子物料回收平臺

上海海谷電子有限公司位于肖塘路255弄10號2層，是一家專業的上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷售的公司。公司擁有專業的技術團隊和雄厚的經濟實力，可提供全國各地上門服務、**評估，工廠呆滯的電子元器件庫存回收。 　　我司長期回收各類呆滯電子元器件庫存，包括芯片，內存，CPU，電容，電阻，二、三極管，電感，晶振，繼電器，開關等。長期一站式高價，回收工廠呆滯庫存。公司。致力于創造***的產品與服務，以誠信、敬業、進取為宗旨，以建海谷產品為目標，努力打造成為同行業中具有影響力的企業。公司以用心服務為重點價值，希望通過我們的專業水平和不懈努力，將上海海谷電子有限公司是一家從事電子元器件回收與銷售的公司。公司擁有專業的技術團隊和雄厚的經濟實力，可提供全國各地上門服務、**評估，工廠呆滯的電子元器件庫存回收。 　　我司長期回收各類呆滯電子元器件庫存，包括芯片，內存，CPU，電容，電阻，二、三極管，電感，晶振，繼電器，開關等。長期一站式高價，回收工廠呆滯庫存。等業務進行到底。誠實、守信是對企業的經營要求，也是我們做人的基本準則。公司致力于打造***的電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收。