存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調節訪問裝置108。調節訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調節mtj器件504和第二調節mtj器件506。調節mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調節mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調節mtj器件504具有尺寸(例如。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有想法可以來我司咨詢！貴州呆滯料回收中心

圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環；5-第二磁環；6-第三磁環；7-環形槽；8-第二環形槽；9-第三環形槽；10-環初級繞組外過孔；11-環初級繞組內過孔；12-環次級繞組內過孔；13-環次級繞組外過孔；14-第二環初級繞組外過孔；15-第二環初級繞組內過孔；16-第二環次級繞組內過孔；17-第二環次級繞組外過孔；18-第三環初級繞組外過孔；19-第三環初級繞組內過孔；20-第三環次級繞組內過孔；21-第三環次級繞組外過孔。具體實施方式下面結合附圖(圖1-圖2)對本發明進行說明。圖1是實施本發明一種集成電路基板的結構示意圖，圖1表現的是截面結構。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結合于芯板1表面的上覆銅層2以及結合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設置有開口朝上的環形槽(例如環形槽7；第二環形槽8；第三環形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。湖北電感元件回收量大從優上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電！

所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。附圖說明通過以下結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本公開的示例實施例。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。圖2是根據示例實施例的集成電路的截面圖。圖3是根據示例實施例的集成電路的圖。圖4a至圖4i是用于描述根據示例實施例的用于制造集成電路的圖案化工藝的示圖。圖5至圖10是根據示例實施例的應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖。圖12a、圖12b和圖12c是圖11的標準單元的截面圖。圖13是示出根據示例實施例的設計集成電路的方法的示圖。圖14是示出根據示例實施例的集成電路的設計系統的框圖。圖15是示出圖14的設計系統的示例操作的流程圖。圖16是示出根據示例實施例的集成電路的布圖的示圖。圖17是示出根據示例實施例的移動裝置的框圖。具體實施方式在下文中將參照示出一些示例實施例的附圖更地描述各種示例實施例。在附圖中。

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個有源區ac在柵極絕緣層118上延伸，同時覆蓋每個有源區ac的上表面和兩個側壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側壁、柵極線pc的側壁和掩模122的側壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結構。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機ald方法和/或金屬有機化學氣相沉積(mocvd)方法來形成金屬層和金屬氮化物層。導電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護層。此外，導電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導電層沉積的粘合層(例如，潤濕層(wettinglayer))。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有需要可以聯系我司哦！

技術實現要素：本實用新型的目的就是提供一種集成電路軟件快速錄入裝置，能完全解決上述現有技術的不足之處。本實用新型的目的通過下述技術方案來實現：一種集成電路軟件快速錄入裝置,包括遠程后臺服務器、錄入終端裝置和顯示器，所述錄入終端裝置包括微處理器、高頻讀卡模塊、數據監測模塊和通訊模塊，所述錄入終端裝置通過數據線與遠程后臺服務器連接；所述顯示器包括液晶顯示屏、工作狀態顯示模塊和電容式觸摸模塊，所述工作狀態顯示模塊和電容式觸摸模塊分別與微處理器中的數據讀寫模塊相連；所述數據監測模塊包括下載判斷模塊、校準綜測模塊、開機模塊、拍照模塊、聲音模塊和按鍵模塊。作為方式之一，所述通訊模塊采用zigbee無線方式與高頻讀卡模塊和數據監測模塊傳輸連接。作為方式之一，所述電容式觸摸模塊包括感應觸控芯片，感應觸控芯片與微處理器中的數據讀寫模塊數據傳輸連接。作為方式之一，所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數據傳輸連接并存儲該數據。作為一種方式之一，所述遠程后臺服務器通過tcp/ip協議與無線網關裝置相連。作為一種方式之一，無線網關裝置通過無線傳輸方式與通訊模塊相連。本實用新型針對工廠需求，治具與電腦結合來提升產品的質量。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！重慶電子元件回收市場

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8、橡膠塞；9、信號接頭；91、母頭；92、卡扣；93、；10、減震螺栓；101、螺桿；102、彈簧；103、墊片；104、第二墊片；105、第二彈簧；106、限位塊；11、支撐桿；12、緊固螺栓；13、連桿；14、線夾。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-6，本實用新型提供的一種實施例：顯示驅動集成電路結構，包括主板1、電子元件2和散熱風扇4，主板1的上方焊接有電子元件2，主板1的上方固定有散熱板3，散熱板3為鰭形設計，通過將散熱板3設計為鰭形，可以增加散熱板3的散熱面積，便于快速的將電子元件2運作產生的熱量吸收排出，提高散熱效率，散熱風扇4的型號為afc1212de。散熱板3的上方通過螺絲固定有散熱風扇4，主板1的后端設置有輸入端5，主板1的正面安裝有輸出端6，主板1的下方焊接有隔線板7，隔線板7的內部鑲嵌有橡膠塞8，橡膠塞8為方形設計，橡膠塞8鑲嵌在隔線板7內部均勻開設的方形通孔內。貴州呆滯料回收中心

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