每個單元線路結(jié)構(gòu)的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達式1表示。表達式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg1。柵極節(jié)距pg1可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。圖5示出了均具有相同的布圖或相同的形貌(topography)的兩個單元線路結(jié)構(gòu)：左側(cè)的一個被標識為uws1，在x軸上向右側(cè)移位的一個也被標識為uws1。圖5的左側(cè)的uws1內(nèi)的空間關系與右側(cè)的uws1內(nèi)的空間關系相同。空間關系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之間的節(jié)距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之間的節(jié)距還有ccl和gtl中的特征之間的相對節(jié)距。圖5表示其中存在6n條金屬線和4n條柵極線的通常示例。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎新老客戶來電！海南電子料庫存回收處理

調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列102通過多條位線bl1至bl2和多條字線wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實施例中，控制電路115包括連接至多條位線bl1至bl2的位線解碼器116和連接至多條字線wl1至wl2的字線解碼器118。調(diào)節(jié)訪問裝置108連接在字線wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之間，而工作mtj器件106連接在調(diào)節(jié)訪問裝置108和位線bly(y＝1或2)之間。為了訪問工作mtj器件106。青海集成電路回收公司上海海谷電子有限公司為您提供回收，有需求可以來電咨詢！

側(cè)壁間隔件261和262)的節(jié)距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個相對的側(cè)壁間隔件(例如，側(cè)壁間隔件262和263)的節(jié)距p4。在一些實施例中，側(cè)壁間隔件261至266的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距。在一些實施例中，可以以圖4f的結(jié)構(gòu)作為起點來按順序應用施加空間層和重復蝕刻步驟。參照圖4g，可以在介電層220上方、在側(cè)壁間隔件261至266上方以及在側(cè)壁間隔件261至266的側(cè)壁上形成第二間隔層270。換言之，側(cè)壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實施例中，已經(jīng)制造261至266以接受材料沉積，然后將蝕刻掉261至266，在原位留下沉積的材料。在介電層220和側(cè)壁間隔件261至266上方設置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側(cè)壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料，使得第二間隔層270針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術形成第二間隔層270。參照圖4h，針對第二間隔層270執(zhí)行蝕刻工藝，從而定義第二側(cè)壁間隔件271至282。參照圖4i，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側(cè)壁間隔件261至266，并且保留第二側(cè)壁間隔件271至282。

可以是諸如或/與/反相器(oai)或者與/或/反相器(aoi)的復合單元，還可以是諸如主從觸發(fā)器或鎖存器的存儲單元。標準單元庫可以包括關于多個標準單元的信息。例如，標準單元庫可以包括標準單元的名稱和功能，以及標準單元的時序信息、功率信息和布圖信息。標準單元庫可以存儲在存儲裝置中，并且標準單元庫可以通過訪問存儲裝置來設置。基于輸入數(shù)據(jù)和標準單元庫執(zhí)行布局和布線(s30)，并且基于布局和布線的結(jié)果設置定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)(s40)。在一些示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是諸如通過將集成電路合成而生成的比特流或網(wǎng)表的數(shù)據(jù)時，輸出數(shù)據(jù)可以是比特流或網(wǎng)表。在其他示例實施例中，當接收的輸入數(shù)據(jù)是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)(例如，具有圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)ii(gdsii)格式的數(shù)據(jù))時，輸出數(shù)據(jù)的格式也可以是定義集成電路的布圖的數(shù)據(jù)。通過圖13的方法設計和制造的集成電路可以包括半導體基底、多條柵極線和多條列金屬線。如參照圖1至圖10所述，6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。圖14是示出根據(jù)示例實施例的集成電路的設計系統(tǒng)的框圖。參照圖14，設計系統(tǒng)1000可以包括存儲介質(zhì)1100、設計模塊1400和處理器1500。上海海谷電子有限公司為您提供回收，期待您的光臨！

每條線路m1可以通過形成在層ly1與第二層ly2之間的多個下通孔接觸件v0中的一個連接到多個導電接觸件ca和cb中的一個。多個下通孔接觸件v0中的每個可以例如通過穿過第二層間絕緣層134連接到多個導電接觸件ca和cb中的一個。多個下通孔接觸件v0可以通過第二層間絕緣層134彼此絕緣。線路m171至78可以包括在標準單元scl中使多個區(qū)域電連接的內(nèi)部連接線路。例如，內(nèi)部連接線路m178可以通過下通孔接觸件v055和58以及接觸件24和33將器件區(qū)rx1中的有源區(qū)ac和第二器件區(qū)rx2中的有源區(qū)ac電連接。線路m171和72可以分別對應于電力軌和第二電力軌。電力軌71可以連接到器件區(qū)rx1中的有源區(qū)ac。第二電力軌72可以連接到第二器件區(qū)rx2中的有源區(qū)ac。電力軌71和第二電力軌72中的一個可以是用于供應電源電壓(例如，電源電壓vdd)的線路，而電力軌71和第二電力軌72中的另一個可以是用于供應接地電壓(例如，第二電源電壓vss)的線路。電力軌71和第二電力軌72可以在第二層ly2上沿方向x彼此平行地延伸。在一些示例實施例中，電力軌71和72可以與其他線路m173至78基本同時形成。線路m1可以穿過第三層間絕緣層136。第三層間絕緣層136可以使線路m1彼此絕緣。回收，就選上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。廣東晶振回收行情

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加法器電路806具有耦合到一預設權(quán)重w(i-1)的一輸入端，以及耦合到分壓器804的一輸出端的另一輸入端。在一些實施例中，加法器電路806包括基于操作放大器的加法器電路。據(jù)此，加法器電路806通過將反映差異的變化與預設權(quán)重w(i-1)相加來提供一反相經(jīng)更新權(quán)重-w(i)，其中差異在不成熟分類和參考分類之間。反相經(jīng)更新權(quán)重-w(i)被反相器810反相為經(jīng)更新權(quán)重w(i)。總之，經(jīng)更新權(quán)重w(i)與預設權(quán)重w(i-1)相關聯(lián)，特別是與差值(v1(i)-vc(i))和預設權(quán)重w(i-1)之間的代數(shù)關系相關聯(lián)。暫存器812暫時提供預設權(quán)重w(i-1)，并且當產(chǎn)生經(jīng)更新權(quán)重w(i)時，因應于一時鐘信號clk提供經(jīng)更新權(quán)重w(i)。乘法器814具有耦合到反相器810的一輸出端的一輸入端，以及耦合到預設電壓vt的另一輸入端。據(jù)此，乘法器814經(jīng)配置以通過將預設電壓vt乘以經(jīng)更新權(quán)重w(i)來產(chǎn)生一經(jīng)學習電壓(w(i)*vt)。暫存器816暫時提供預設電壓vt，并且當產(chǎn)生經(jīng)更新權(quán)重w(i)時，因應于時鐘信號clk提供經(jīng)學習電壓(w(i)*vt)。經(jīng)學習電壓(w(i)*vt)是經(jīng)更新權(quán)重w(i)的函數(shù)。總之，因應于參考電壓vc與電壓(v1-vc)之間的差異的存在，比較器800的另一輸入端從耦合預設電壓vt改為耦合到經(jīng)學習電壓(w(i)*vt)。換句話說。海南電子料庫存回收處理

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