所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲模塊組件200由另一個印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲模塊組件200并且帶有已附接的分流管的印刷電路裝配件400的圖。參考回圖5，每個冷卻管406的端部耦聯至輸入分流管606a，并且每個冷卻管406的第二端部耦聯至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過輸入分流管606a進入各冷卻管，并且被加熱的液體通過輸出分流管606b離開各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據一個實施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個或多個集成電路(一般地以704示出)。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。甘肅電容電阻回收價格

達到固定散熱機構3的目的，之后打開管蓋6，并通過導管5向空心導熱塊31內加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發熱量的時候，熱量被空心導熱塊31吸收，同時空心導熱塊31內部的純凈水受熱蒸發，并通過連通管32和第二連接管34進入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導出，然后水蒸汽凝結成水珠，水珠回到空心導熱塊31中繼續吸收熱量，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。山西電感元件回收量大從優上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來電！

每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應液體體積的改變。

在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區、外延特征、隔離結構、鰭狀半導體區域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術形成所述介電層。參照圖4b，在設置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層。可以使用cvd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司。

側壁間隔件261和262)的節距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個相對的側壁間隔件(例如，側壁間隔件262和263)的節距p4。在一些實施例中，側壁間隔件261至266的平均節距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節距。在一些實施例中，可以以圖4f的結構作為起點來按順序應用施加空間層和重復蝕刻步驟。參照圖4g，可以在介電層220上方、在側壁間隔件261至266上方以及在側壁間隔件261至266的側壁上形成第二間隔層270。換言之，側壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實施例中，已經制造261至266以接受材料沉積，然后將蝕刻掉261至266，在原位留下沉積的材料。在介電層220和側壁間隔件261至266上方設置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料，使得第二間隔層270針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術形成第二間隔層270。參照圖4h，針對第二間隔層270執行蝕刻工藝，從而定義第二側壁間隔件271至282。參照圖4i，執行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側壁間隔件261至266，并且保留第二側壁間隔件271至282。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司。云南電子物料回收量大從優

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調節)提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調節訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內的存儲單元(例如，mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅動晶體管的尺寸。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路100的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路100包括具有多個存儲單元104a,1至104b,2的存儲器陣列102。多個存儲單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲器陣列102內。例如，行存儲單元包括存儲單元104a,1和104a,2，而列存儲單元包括存儲單元104a,1和104b,1。在一些實施例中，多個存儲單元104a,1至104b,2可以包括多個mram單元。多個存儲單元104a,1至104b,2(例如，mram單元)分別包括連接至調節訪問裝置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道結(mtj)，磁隧道結(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層112a與自由層114a分隔開的固定層110a。固定層110a具有固定的磁向，而自由層114a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應)改變為相對于固定層110a的磁向平行(即，“p”狀態)或反向平行(即，“ap”狀態)的磁向。甘肅電容電阻回收價格

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