字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條字線wl1至wl6，并且位線解碼器116被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列102的一條或多條位線bl1至bl3。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl6和一條或多條位線bl1至bl3，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，圖3a至圖3b示出了圖2的存儲器電路200的寫入操作的一些實施例的示意圖300和302。示意圖300和302所示的寫入操作是實施寫入操作的方法的非限制性實例。在其它實施例中，可以可選地使用實施寫入操作的其它方法。圖3a至圖3b中示出的寫入操作在步驟(圖3a所示)期間將數據狀態寫入至存儲器陣列的一行中的一個或多個存儲單元，并且在隨后的第二步驟(圖3b所示)期間將第二數據狀態寫入至存儲器陣列的該行中的一個或多個存儲單元，以使用兩步工藝將數據寫入至存儲器陣列102的整個行。應該理解，為了將數據寫入mtj器件，提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列102內的mtj器件。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司電子料回收值得用戶放心。浙江電子料庫存回收網

本發明涉及不具有驅動晶體管(即，存取晶體管)的存儲單元(例如，mram單元)。而且，存儲單元包括調節訪問裝置，該調節訪問裝置具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，本發明涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲數據狀態；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調節訪問裝置，調節訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個或多個調節mtj器件。在一些實施例中，一個或多個調節mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第二字線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線和第二字線連接至字線解碼器。在一些實施例中，調節mtj器件具有比第二調節mtj器件更大的尺寸。在一些實施例中，調節訪問裝置還包括連接在第二位線和工作mtj器件之間的第二調節mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和第二位線連接至位線解碼器。在一些實施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實施例中，集成芯片還包括連接在調節mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實施例中。河北廢棄電子料回收價格上海海谷電子有限公司電子料回收電子料回收服務值得放心。

1947年12月23日圣誕節前夕，在美國新澤西州貝爾實驗室里，3位科學家肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士正有條不紊地進行著用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。他們驚奇地發現，器件中通過的一部分微弱電流，竟然可以控制另一部分大得多的電流，產生放大效應。當時人們還未意識到，這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。正是因為這份“獻給世界的圣誕節禮物”，3位科學家共同榮獲1956年諾貝爾物理學獎。這項神奇的發明究竟是什么呢？晶體管被人們形象地稱為“三條腿的魔術師”，是一種三個支點的半導體固體電子元件。像金、銀、銅、鐵等金屬，它們導電性能好，叫做導體。木材、玻璃、陶瓷、云母等不易導電，叫做絕緣體。導電性能介于導體和絕緣體之間的物質，如硅、鍺、砷化鎵等，就叫半導體。晶體管就是用半導體材料制成的，這類材料常見的便是鍺和硅兩種。晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管誕生之后，便被地應用于工農業生產、**建設以及人們日常生活中。1953年，首批電池式的晶體管收音機一投放到市場，就受到人們的熱烈歡迎。不久。

所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，提供一種設計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數據；設置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數據和標準單元庫執行布局和布線；以及基于布局和布線的結果生成定義集成電路的輸出數據，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。根據示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有想法的不要錯過哦！

根據示例實施例的集成電路以及制造和設計所述集成電路的方法可以通過單元線路結構uws1至uws6來提高集成電路的設計效率和性能。在下文中，參照可以支持根據示例實施例的集成電路的布圖的理解的圖11、圖12a、圖12b和圖12c描述標準單元的示例結構。圖11實質上是示意的，圖11中未示出上述實施例的所有特征。圖2示出在一些實施例中金屬線“ml”相對于柵極線“gl”以6比4的比率出現。圖5和圖7示出單個單元線路結構(uws)中存在六條金屬線和四條柵極線的實施例。圖8示出在具有八條柵極線(“gl”)的單個單元線路結構(uws)中存在十二條金屬線(“ml”)的實施例。圖11是示出示例標準單元的布圖的示圖，圖12a、12b和12c是圖11的標準單元的截面圖。圖12a、12b和12c示出包括鰭式場效應晶體管(finfet)的標準單元scl的一部分。圖12a是圖11的標準單元scl沿線a-a'的截面圖。圖12b是圖11的標準單元scl沿b-b'線的截面圖。圖12c是圖11的標準單元scl沿線c-c'的截面圖。參照圖11、圖12a、圖12b和圖12c，標準單元可以形成在具有上表面110a的基底110上，該上表面110a在水平方向(例如，方向x和第二方向y)上延伸。在一些示例實施例中，基底110可以包括例如硅(si)、鍺。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來電！云南收購電子元器件回收平臺

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每個單元線路結構可以包括六條金屬線和四條柵極線。在這種情況下，單元線路結構未被劃分為兩個子線路結構，使得每個子線路結構包括三條金屬線和兩條柵極線。在一些示例實施例中，每個單元線路結構可以包括十二條金屬線和八條柵極線。在這種情況下，單元線路結構未被劃分為四個子線路結構，使得每個子線路結構包括三條金屬線和兩條柵極線，并且單元線路結構未被劃分為兩個子線路結構，使得每個子線路結構包括六條金屬線和四條柵極線。當半導體工藝按比例縮小時，集成在一個集成電路中的晶體管的數量呈指數增長。由于晶體管的數量大，因此使用標準單元庫來設計集成電路，該標準單元庫包括使邏輯門標準化而不是定制設計的多個標準單元?？梢酝ㄟ^標準單元庫、邏輯合成工具以及自動布局和布線工具自動地設計實現期望的功能的復雜的集成電路。標準單元被布置為形成用于自動設計的多個行，并且制造的集成電路的行具有除光學偏差之外的規則節距。集成電路的柵極線在列方向上延伸并且在行方向上重復地布置。柵極線上方的金屬線雙向或單向地傳輸信號和/或電壓。通常，上層中的金屬線被實現為單向的。柵極線和金屬線非常密集，并且柵極線和金屬線的節距在光刻工藝中用作圖案的限制。浙江電子料庫存回收網

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