該比較器經配置以通過將一預設電壓與一實際電壓進行比較來產生關于該不成熟分類的信息。在一些實施例中，該預設電壓的微分決定該信號的預設回轉率。在一些實施例中，該機器學習電路還包括一測量電路。該測量電路經配置以通過實際測量該信號來提供該實際電壓。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路、一第二取樣保持電路以及一減法器電路。該取樣保持電路經配置以取樣該信號的一電壓。該第二取樣保持電路經配置以取樣該信號的一第二電壓。該減法器電路經配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定該信號的實際回轉率。在一些實施例中，該機器學習電路還包括一加法器電路。該加法器電路經配置以通過將反映該差異的變化加到一預設權重來提供一經更新權重。在一些實施例中，該經學習電壓是該經更新權重的函數。在本公開中，一旦進入預測階段并且在完成該機器學習電路的訓練之后，就不再需要人力。使用該機器學習電路來調整回轉率是相對方便的。在比較方法中，經配置以測量信號的電壓的示波器的尺寸相對較大。此外，需要手動調整回轉率。結果，比較方法相對不方便。上文已相當地概述本公開的技術特征及優點。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！重慶電子料庫存回收網

存儲介質1100(例如，存儲裝置)可以存儲標準單元庫sclb1110。標準單元庫1110可以從存儲介質1100被提供給設計模塊1400。標準單元庫1110可以包括多個標準單元，并且標準單元可以是用于設計塊、器件和/或芯片的小的(例如，小的)單元。存儲介質1100可以包括用于將命令和/或數據提供給計算機作為計算機可讀存儲介質的任何計算機可讀存儲介質。例如，計算機可讀存儲介質可以包括諸如隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)等的易失性存儲器，以及諸如閃存、磁阻ram(mram)、相變ram(pram)、電阻式ram(rram)等的非易失性存儲器。計算機可讀存儲介質可以入到計算機中，可以被集成在計算機中，或者可以通過諸如網絡和/或無線鏈接的通信介質連接到計算機。設計模塊1400可以包括布局模塊plmd1200和布線模塊rtmd1300。在此，術語“模塊”可以指示但不限于執行特定任務的軟件和/或硬件組件(諸如，現場可編程門陣列(fpga)或集成電路(asic))。模塊可以駐留在有形的、可尋址的存儲介質中，并且可以在一個或多個處理器上執行。例如。遼寧收購電子元器件回收服務電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。

該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖6a至圖6b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖7a至圖7b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖8a至圖8b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖9至圖12示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例，該存儲器電路包括存儲單元，該存儲單元包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。圖13示出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括存儲單元，該存儲單元包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節訪問裝置。具體實施方式以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些是實例，而不旨在限制本發明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成部件可以包括部件和第二部件直接接觸形成的實施例。

本領域普通技術人員將理解本發明的許多可能的應用和變化。除非另外定義，否則這里使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本公開的實施例所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。應當理解，例如在常用詞典中定義的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且不應該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過于正式的意義。機器學習經配置以各種設置以通過使用示例來執行任務。例如，神經網絡可經配置以執行沒有任務特定編程的任務。也就是說，可以從先前數據訓練神經網絡以對來自當前數據的信息進行分類或推斷。例如，訓練數據可經配置以通過分析信號的電壓來識別從駕駛員輸出端的信號的回轉率。雖然使用基于電壓的回轉率識別作為示例，但這是說明性的，并且任何合適的神經網絡任務可以由下面描述的實施例執行。圖1的示意圖說明調整信號的回轉率的比較方法。參考圖1，一集成電路(integratedcircuit，ic)元件10包括一驅動器電路102和一回轉率控制(slewratecontrol，src)電路104。驅動器電路102經配置以接收一信號din，并通過增加信號din的驅動能力來驅動出ic元件10上的一信號dout。根據src電路104提供的一回轉率。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有想法的可以來電咨詢！

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節距小或精確。參照圖4f，執行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側壁間隔件261至266。261形成為側壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件。總而言之，261可以被稱為側壁間隔件。側壁間隔件261至266在方向x上具有節距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側壁間隔件(例如。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，歡迎客戶來電！陜西集成電路回收廠家

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可以通過電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標準單元scl的單元高度ch。可以沿著與電力軌71和72平行的方向x定義標準單元scl的單元寬度cw。線路m1的節距會由于小節距規則而需要滿足限制。例如，線路m1會需要根據“前列到側面”約束和“圓角”約束來滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導電層的堆疊結構。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或電鍍方法來形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據一些示例實施例的集成電路可以對應于各種標準單元的組合。盡管圖中未示出，但是根據示例實施例的用于形成單元線路結構的列金屬線可以形成在第二層ly2上方的m2層或m3層中。圖13是示出根據示例實施例的設計集成電路的方法的示圖。圖13的方法可以包括由設計工具執行的設計集成電路的布圖的方法。在一些示例實施例中，設計工具可以包括包含可由處理器執行的多個指令的編程軟件，即，以硬件(例如，處理器、asic等)的某種形式實現的軟件。參照圖13，可以接收定義集成電路的輸入數據(s10)。例如。重慶電子料庫存回收網

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