轉動環24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的內壁元螺紋塊21的外壁螺紋連接，連接機構2能夠方便散熱機構3與芯片本體1進行連接。散熱機構3包括與l形桿23側壁固定連接的空心導熱塊31，空心導熱塊31的下表面與芯片本體1的下表面活動連接，空心導熱塊31的上表面固定連通有多個連通管32，多個同側連通管32的頂端共同固定連通有空心散熱塊33，多個空心散熱塊33的頂端均固定連通有多個第二連通管34，多個同側第二連通管34的頂端共同固定連通有第二空心散熱塊35，空心散熱塊33與第二空心散熱塊35相互呈垂直分布，該結構能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。第二空心散熱塊35的頂端固定連接有多個錐形塊4，錐形塊4能夠便捷水珠凝結。空心導熱塊31的外壁固定連通有導管5，導管5遠離空心導熱塊31的一端螺紋連接有管蓋6，導管5便于向空心導熱塊32內加水。空心導熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35的材質均為不銹鋼，且能夠避免空心導熱塊31、空心散熱塊33和第二空心散熱塊35銹蝕損壞。本實用新型中，當芯片本體1與集塵電路板安裝的時候，首先把l形桿23插入螺紋塊21的凹槽22中，接著通過螺母25與螺紋塊21連接。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來電！云南電子料上門回收平臺

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個有源區ac在柵極絕緣層118上延伸，同時覆蓋每個有源區ac的上表面和兩個側壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側壁、柵極線pc的側壁和掩模122的側壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結構。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機ald方法和/或金屬有機化學氣相沉積(mocvd)方法來形成金屬層和金屬氮化物層。導電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護層。此外，導電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導電層沉積的粘合層(例如，潤濕層(wettinglayer))。安徽二極管回收量大從優電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！

分類器電路80接收反映關于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過人工比較一預設電壓vt和實際電壓vout來獲取參考分類。預設電壓vt的微分決定信號dout于規范中規定的預設回轉率。隨后，分類器電路80通過比較預設電壓vt和實際電壓vout來產生反映關于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓練階段312中，分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預設電壓vt更新為一經學習電壓。經學習電壓包括神經網絡32的經加權值。mlc42基于經學習電壓調整信號dout的回轉率。在推理/分類階段314中，分類器電路80基于經學習電壓產生經配置以調整信號dout的回轉率的預測。圖10是根據本公開的一些實施例的圖9的測量電路60的電路圖。參照圖10，測量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602，以及一減法器604。s/h電路600經配置以對信號dout的一電壓v1進行取樣。在一些實施例中，s/h電路600包括一開關、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實施例中，s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經配置以對信號dout的一第二電壓v2進行取樣。在一些實施例中，s/h電路602包括一開關、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實施例中，s/h電路602包括任何已知的s/h電路。

本公開主張2018年12月06日申請的美國正式申請案第16/212,012號的優先權及益處，該美國正式申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。本公開關于一種集成電路元件和電路，特別涉及一種具有經配置以大數據(bigdata)應用的機器學習功能的集成電路元件。背景技術：集成電路，例如現場可程序化的門陣列(fieldprogrammablegatearray，fpga)，可以包括執行各種數學運算的電路。舉例來說，一深度學習神經網絡可以在經配置以機器學習應用的一個或多個集成電路元件中實現。集成電路元件可以執行若干操作以輸出神經網絡的結果。上文的“現有技術”說明是提供背景技術，并未承認上文的“現有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的“現有技術”的任何說明均不應作為本公開的任一部分。技術實現要素：本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測量電路以及一分類器電路。該測量電路經配置以獲取一實際電壓。該分類器電路經配置以：通過比較一預設電壓和該實際電壓來產生關于一不成熟分類的信息；接收關于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓。上海海谷電子有限公司致力于電子料回收，有想法可以來我司咨詢！

化學機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖1000所示，在互連層406a的上表面上方形成多個底電極通孔408。多個底電極通孔408由介電層1002圍繞。在一些實施例中，介電層1002可以沉積在互連層406a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔408。在各個實施例中，介電層1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔408可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔408上方形成多個mtj器件106、204和206。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎您的來電哦！湖北晶振回收中心

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因應于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經學習電壓(w(i)*vt)。在進入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調整信號dout的回轉率。圖12的示意圖說明根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設一學習速率η是；一預設電壓vt為；一實際電壓vout為，小于預設電壓vt。在理想狀況下，比較器800應該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導體工藝技術或低噪聲邊界的不良結果所引起的。使用者人工識別這種錯誤分類。使用者向減法器電路802提供邏輯低(“0”)。據此，減法器電路802向分壓器804提供邏輯高(“1”)。加法器電路806將差值*(v1(i)-vc(i)加至數值為1的預設權重，并提供反相經更新權重的。反相器810反相反相經更新權重，并提供經更新權重的。暫存器812將預設權重的1更新為更新權重的。乘法器814將預設電壓的，并將經學習電壓的。暫存器816將預設電壓的，經學習電壓的。經學習電壓的。如果隨后的實際電壓vout接近先前的實際電壓vout，則獲得正確分類的機率隨著經學習電壓的，相較于預設電壓的。結果。云南電子料上門回收平臺

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