在半導體基底200上方形成中間層210、220和230。半導體基底200包括作為半導體晶圓的硅。在各種實施例中，半導體基底200可以包括另一元素半導體(諸如，鍺)、化合物半導體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導體基底200可以包括有源區、外延特征、隔離結構、鰭狀半導體區域和/或其他合適的特征。在一些示例實施例中，半導體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過諸如熱氧化、化學氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術形成所述介電層。參照圖4b，在設置在介電層230上方的層240和層250上方對光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層?？梢允褂胏vd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒有層240和層250。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需要可以聯系我司哦！青海電子料庫存回收行情

存儲器陣列內的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調節訪問裝置內的調節mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括具有不同尺寸的調節器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數據的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調節訪問裝置108。調節訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調節mtj器件504和第二調節mtj器件506。調節mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調節mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調節mtj器件504具有尺寸(例如。山東三極管回收廠家上海海谷電子有限公司電子料回收值得用戶放心。

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個有源區ac在柵極絕緣層118上延伸，同時覆蓋每個有源區ac的上表面和兩個側壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側壁、柵極線pc的側壁和掩模122的側壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結構。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機ald方法和/或金屬有機化學氣相沉積(mocvd)方法來形成金屬層和金屬氮化物層。導電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護層。此外，導電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導電層沉積的粘合層(例如，潤濕層(wettinglayer))。

夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內層ito為屏蔽層以保證良好的工作環境。當手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數據傳輸連接并存儲該數據。作為一種實施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓寬，使用ttl串口，很容易嵌入到手持設備中。支持協議:iso15693尺寸大小:長x寬x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作電壓:～工作頻率：支持標簽：讀卡距離：5～10cm通信接口:ttluart，方便與單片機或嵌入式系統連接。本所述所述錄入裝置的使用過程為：將單片pcba放到軟件錄入裝置中，扣合裝置，程序自動識別主板并錄入預置的軟件，錄入成功顯示pass,錄入失敗則顯示fail，非常的方便。針對工廠需求，治具與電腦結合來提升產品的質量，電腦顯示工作狀態及數據。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，期待您的光臨！

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化學機械平坦化工藝)以形成互連層406a。在各個實施例中，襯底402可以是任何類型的半導體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層904可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層406a可以是互連線層、第二互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。如圖10的截面圖1000所示，在互連層406a的上表面上方形成多個底電極通孔408。多個底電極通孔408由介電層1002圍繞。在一些實施例中，介電層1002可以沉積在互連層406a上方，并且然后選擇性地被圖案化以限定底電極通孔開口。然后通過在底電極通孔開口內的沉積工藝形成多個底電極通孔408。在各個實施例中，介電層1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一種或多種。在各個實施例中，多個底電極通孔408可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個底電極通孔408上方形成多個mtj器件106、204和206。青海電子料庫存回收行情

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