本發明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實現變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環形槽的對應處設置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環變壓器內置于所述基板本體的絕緣體內，沒有空氣爬電距離的路徑，能達到。本發明能夠帶來以下優點：實現了更大功率，更高效率的IC集成電源；以少的通道實現了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。在此指明，以上敘述有助于本領域技術人員理解本發明創造，但并非限制本發明創造的保護范圍。任何沒有脫離本發明創造實質內容的對以上敘述的等同替換、修飾改進和/或刪繁從簡而進行的實施，均落入本發明創造的保護范圍。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！江蘇電子元器件回收市場

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1947年12月23日圣誕節前夕，在美國新澤西州貝爾實驗室里，3位科學家肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士正有條不紊地進行著用半導體晶體把聲音信號放大的實驗。他們驚奇地發現，器件中通過的一部分微弱電流，竟然可以控制另一部分大得多的電流，產生放大效應。當時人們還未意識到，這個器件，就是在科技史上具有劃時代意義的成果——晶體管。正是因為這份“獻給世界的圣誕節禮物”，3位科學家共同榮獲1956年諾貝爾物理學獎。這項神奇的發明究竟是什么呢？晶體管被人們形象地稱為“三條腿的魔術師”，是一種三個支點的半導體固體電子元件。像金、銀、銅、鐵等金屬，它們導電性能好，叫做導體。木材、玻璃、陶瓷、云母等不易導電，叫做絕緣體。導電性能介于導體和絕緣體之間的物質，如硅、鍺、砷化鎵等，就叫半導體。晶體管就是用半導體材料制成的，這類材料常見的便是鍺和硅兩種。晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一，放熱很少，可用于設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管誕生之后，便被地應用于工農業生產、**建設以及人們日常生活中。1953年，首批電池式的晶體管收音機一投放到市場，就受到人們的熱烈歡迎。不久。

減法器604經配置以通過從第二電壓v2減去電壓v1來提供實際電壓vout。因此，實際電壓vout與電壓v1和第二電壓v2相關聯。圖11是根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80的電路圖。參考圖11，分類器電路80包括一比較器800、一減法器電路802、一分壓器804、一加法器電路806、一反相器810、一暫存器812、一乘法器814和一暫存器816。在圖11中，符號(i)表示當前的特性；符號(i+1)表示下一次的特性。比較器800具有耦合到實際電壓vout(i)的一輸入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的電壓的另一輸入端，以及耦合到一節點n0的一輸出端，其中在式子中的w(i)表示神經網絡32的權重，以及vt表示預設電壓。權重w(i)初是1，并且被稱為一預設權重。因此，比較器800的另一輸入端初耦合到預設電壓vt。比較器800經配置以通過將預設電壓vt與實際電壓vout進行比較來產生關于不成熟分類的信息。減法器電路802具有耦合到比較器800的一輸出端的一輸入端和耦合到一參考電壓vc(i)的另一輸入端，從而從電壓v1(i)中減去參考電壓vc(i)。因此，減法器電路802向分壓器804提供一電壓(v1(i)-vc(i))。因此，分壓器804提供電壓η(v1-vc)，其中η表示學習速率，以及η的范圍從大約0到大約1。上海海谷電子有限公司為您提供 電子料回收，有需要可以聯系我司哦！

同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。可以省略重復的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據示例實施例的集成電路的結構。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照圖1，在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上(s200)。根據示例實施例，可以通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成多條金屬線。sadp和saqp是制造技術。此外，根據示例實施例，可以通過單圖案化(即，直接圖案化)、sadp或saqp形成多條柵極線。單圖案化也是制造技術。下面將參照圖4a至圖4i描述單圖案化、sadp和saqp。在一些實施例中，單元線路結構對應于未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。在一些示例實施例中。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電！廣東收購電子元器件回收平臺

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可以使用側壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距的目標圖案。圖5至圖10是示出應用于集成電路的單元線路結構的示例實施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節距pdm并且雙倍心軸節距pdm可以與抗蝕劑圖案的節距相同。針對單元線路結構uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。江蘇電子元器件回收市場

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