可以使用側(cè)壁間隔件261至266作為第二心軸圖案在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節(jié)距的目標(biāo)圖案。圖5至圖10是示出應(yīng)用于集成電路的單元線路結(jié)構(gòu)的示例實(shí)施例的示圖。為了便于描述，在層中形成的圖案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在圖5至圖10中。圖案dpm、qpm、dpg和qpg可以與參照圖4a至圖4i描述的心軸圖案對應(yīng)，并且可以在中間過程期間被去除以被排除在終集成電路中。在下文中，將參照圖5、圖6和圖7描述通過sadp形成多條列金屬線的示例實(shí)施例。參照圖5、圖6和圖7，單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個可以包括分別布置在方向x上的六條列金屬線ml1至ml6和四條柵極線gl1至gl4。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導(dǎo)電層ccl上方形成雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3。標(biāo)簽“dpm”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“m”表示金屬。例如，雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3可以布置為在方向x上具有相同的雙倍心軸節(jié)距pdm并且雙倍心軸節(jié)距pdm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws1、uws2和uws3中的每個，可以使用三個雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成六條列金屬線ml1至ml6。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！海南批量電子物料回收網(wǎng)

多個mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實(shí)施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實(shí)施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個mtj器件106、204和206中的一個包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個mtj器件106、204和206中的一個或多個包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問裝置108內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件204和206，調(diào)節(jié)訪問裝置108被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件106的電流。在一些實(shí)施例中，可以同時形成多個mtj器件106、204和206。例如，在一些實(shí)施例中，可以通過在介電層1002和多個底電極通孔408上方沉積磁固定膜，在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件106、204和206。可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件106、204和206。在其它實(shí)施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件106、204和206。如圖11的截面圖1100所示，在多個mtj器件106、204和206上方形成多個頂電極通孔410。多個頂電極通孔410由第二ild層1102圍繞。在一些實(shí)施例中。浙江高價電子元器件回收服務(wù)電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！

在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設(shè)置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側(cè)壁間隔件261至266。側(cè)壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結(jié)果(例如，側(cè)壁間隔件261和262保留)。在一些實(shí)施例中，在261與262之間獲得的節(jié)距(在一些實(shí)施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節(jié)距小或精確。參照圖4f，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側(cè)壁間隔件261至266。261形成為側(cè)壁，并且在一些實(shí)施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件。總而言之，261可以被稱為側(cè)壁間隔件。側(cè)壁間隔件261至266在方向x上具有節(jié)距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應(yīng)的兩個側(cè)壁間隔件(例如。

根據(jù)信號線束需要插接的位置，調(diào)節(jié)緊固螺栓12上連桿13的位置到合適的地方，順時針轉(zhuǎn)動緊固螺栓12，將連桿13的位置固定；逆時針轉(zhuǎn)動線夾14底部的螺絲，使得線夾14張開，將信號線穿過線夾14，順時針轉(zhuǎn)動線夾14底部的螺絲，將信號線固定在線夾14的內(nèi)部，將信號線的端頭安裝在信號接頭9上的93的底端，將93按入母頭91的內(nèi)部，通過卡扣92固定；將主板1通過減震螺栓10安裝固定在預(yù)先設(shè)置的安裝位置，順時針擰緊減震螺栓10即可，當(dāng)設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)時，為該顯示驅(qū)動集成電路結(jié)構(gòu)供電，散熱風(fēng)扇4通電轉(zhuǎn)動，主板1上的電子元件2運(yùn)轉(zhuǎn)產(chǎn)生大額熱量，鰭形設(shè)計的散熱板3將電子元件2上的熱量吸收，通過散熱風(fēng)扇4轉(zhuǎn)動帶起的空氣流動排出設(shè)備。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，期待您的光臨！

所述基板包括覆銅芯板，通過在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過對沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過孔進(jìn)行繞制連接以將變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明技術(shù)方案如下：一種集成電路基板，其特征在于，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板和結(jié)合于芯板表面的上覆銅層以及結(jié)合于芯板底面的下覆銅層，所述芯板上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽，所述開口延伸至所述上覆銅層之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過孔，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過孔。所述外過孔和內(nèi)過孔均采用激光打孔。所述若干外過孔包括初級繞組外過孔和次級繞組外過孔，所述若干內(nèi)過孔包括初級繞組內(nèi)過孔和次級繞組內(nèi)過孔。初級繞組和次級繞組均采用印制線連接過孔的方式形成。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應(yīng)處設(shè)置有開窗。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明技術(shù)效果如下：本發(fā)明一種集成電路基板。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，有想法可以來我司咨詢！福建電子物料回收中心

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達(dá)到固定散熱機(jī)構(gòu)3的目的，之后打開管蓋6，并通過導(dǎo)管5向空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發(fā)熱量的時候，熱量被空心導(dǎo)熱塊31吸收，同時空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過連通管32和第二連接管34進(jìn)入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊31中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。海南批量電子物料回收網(wǎng)

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