可以在柵極層gtl上方順序地形成四倍心軸圖案qpg以及雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。例如，四倍心軸圖案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的四倍心軸節距pqg。在這種情況下，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成順序地具有柵極節距pg21、第二柵極節距pg22、柵極節距pg21和第三柵極節距pg23。在一些實施例中，第三柵極節距pg23是距下一個單元線路結構的距離。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以彼此不同。柵極節距pg21、第二柵極節距pg22和第三柵極節距pg23可以由表達式3表示。表達式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表達式3中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wqg表示四倍心軸圖案qpg的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。在下文中，將參照圖8、圖9和圖10描述通過saqp形成多條列金屬線的示例實施例。參照圖8、圖9和圖10，單元線路結構uws4、uws5和uws6中的每個可以包括分別布置在方向x上的十二條列金屬線ml1至ml12和八條柵極線gl1至gl8。如參照圖4a至圖4i所述，可以在列導電層ccl上方順序地形成四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3以及雙心軸圖案dpm1至dmp6。例如。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，有需求可以來電咨詢！吉林電感元件回收網

包括：在襯底上方形成互連層；在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節mtj器件，所述一個或多個調節mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成第二互連層，其中，所述互連層和所述第二互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解本發明的各個方面。應該指出，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。圖2示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括調節mtj器件，該調節mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖3a至圖3c示出了圖2的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖4a至圖4b示出了對應于圖2的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖5a至圖5b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。湖南三極管回收平臺電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎新老客戶來電！

2v)和第四非零偏置電壓v4(例如，4v)之間的差異使得第二電流i2流過第二存儲單元202a,2內的調節mtj器件。然而，第二電流i2的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數據狀態寫入至第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl3和wl4的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。如圖3b的示意圖302所示，通過將第二數據狀態寫入存儲器陣列102的行301中的第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件來實施寫入操作的第二步驟。通過將非零偏置電壓v1(例如，6v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，2v)施加至位線bl1和bl3并且將第三偏置電壓v3(例如，0v)施加至位線bl2來實施寫入操作的第二步驟。非零偏置電壓v1(例如，6v)和第三偏置電壓v3(例如，0v)之間的差異使得電流i1流過第二存儲單元202a,2內的調節mtj器件。電流i1小于切換電流isw，使得第二存儲單元202a,2內的調節mtj器件的狀態不變。然而，電流i1(其流過第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件)的兩倍大于切換電流isw，以將第二數據狀態寫入第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件。存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件不受寫入操作的第二步驟的影響，因為非零偏置電壓v1(例如，6v)和第二非零偏置電壓v2。

6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結構，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結構包括單元線路結構和第二單元線路結構，第二單元線路結構在方向上與單元線路結構相鄰，第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結構是未被劃分為至少兩個相等的子線路結構的小單元結構。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構包括六條金屬線和四條柵極線。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的六條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的六條金屬線在方向上布置成交替地具有金屬節距和第二金屬節距。此外，在一些實施例中，每個單元線路結構的四條柵極線通過單圖案化形成，并且每個單元線路結構的四條柵極線在方向上布置成具有相等的柵極節距。通常。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，期待為您服務！

ge)等的半導體或者例如sige、sic、gaas、inas、inp等的化合物半導體。在一些示例實施例中，基底110可以具有絕緣體上硅(soi)結構。基底110可以包括導電區域，例如，摻雜雜質的阱或摻雜雜質的結構。標準單元可以包括器件區rx1、第二器件區rx2以及使器件區rx1和第二器件區rx2沿第二方向y分離的有源切口區acr。器件區rx1和第二器件區rx2中的每個可以包括從基底110沿第三方向z突出的多個鰭型有源區ac(參見圖12c)。多個有源區ac可以在方向x上彼此平行地延伸。器件隔離層112可以沿著第二方向y在基底110上位于多個有源區ac之間。多個有源區ac以鰭的形式沿著第三方向z從器件隔離層112突出。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以形成在基底110上。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以在與多個有源區ac交叉的第二方向y上延伸。多個柵極絕緣層118和多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以覆蓋每個有源區ac的上表面和側壁以及器件隔離層112的上表面。多個金屬氧化物半導體(mos)晶體管可以沿著多條柵極線pc11、12、13、14、15和16形成。mos晶體管可以具有在有源區ac的上表面和兩個側壁中形成溝道的三維結構。圖11提供了圖例：“pc”表示柵極線，“ca”表示接觸件。上海海谷電子有限公司電子料回收電子料回收服務值得放心。河南電子芯片回收市場

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示出了一個處理器1500。可選地，多個處理器可以包括在設計系統1000中。此外，處理器1500可以包括增加計算容量的高速緩存存儲器。這樣，根據示例實施例的集成電路和設計集成電路的方法可以通過單元線路結構提高集成電路的設計效率和性能。圖15是示出圖14的設計系統的示例操作的流程圖。參照圖14和圖15，設計模塊1400可以接收定義集成電路的輸入數據di(s11)。布局模塊1200可以參照包括如上所述的多個標準單元的標準單元庫1110，以便提取與輸入數據di對應的標準單元，并且可以使用提取的標準單元執行單元布局(s12)。布線模塊1300可以針對布局的單元執行信號布線(s13)。當信號布線不成功時(s14：否)，布局模塊1200可以替換至少一個標準單元，例如，可以用另一標準單元替換至少一個標準單元，以修改單元的布局(s15)。布線模塊1300可以針對修改的布局再次執行信號布線(s13)。這樣，可以重復地布局和布線，直到成功完成信號布線。當信號布線成功完成時(s14：是)，設計模塊1400可以生成定義集成電路的輸出數據do(s16)。圖16是示出根據示例實施例的集成電路的布圖的示圖。圖16的集成電路300可以是集成電路(asic)。吉林電感元件回收網

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