因應于不成熟分類和參考分類之間的差異，比較器800的另一輸入端耦合到經學習電壓(w(i)*vt)。在進入推理/分類階段314之后，比較器800將電壓v1(i)提供給src電路104，從而調整信號dout的回轉率。圖12的示意圖說明根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80在圖5的訓練階段312的一示例性操作。參考圖12，假設一學習速率η是；一預設電壓vt為；一實際電壓vout為，小于預設電壓vt。在理想狀況下，比較器800應該提供邏輯低(“0”)。然而，比較器800卻提供邏輯高(“1”)，其反映出不成熟分類，這可能是由于半導體工藝技術或低噪聲邊界的不良結果所引起的。使用者人工識別這種錯誤分類。使用者向減法器電路802提供邏輯低(“0”)。據此，減法器電路802向分壓器804提供邏輯高(“1”)。加法器電路806將差值*(v1(i)-vc(i)加至數值為1的預設權重，并提供反相經更新權重的。反相器810反相反相經更新權重，并提供經更新權重的。暫存器812將預設權重的1更新為更新權重的。乘法器814將預設電壓的，并將經學習電壓的。暫存器816將預設電壓的，經學習電壓的。經學習電壓的。如果隨后的實際電壓vout接近先前的實際電壓vout，則獲得正確分類的機率隨著經學習電壓的，相較于預設電壓的。結果。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有想法的不要錯過哦！重慶電感元件回收聯系方式

公開的寫入操作可以在調節mtj器件(例如，圖2中的204至206)處于高電阻狀態來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。如圖3a的示意圖300所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態寫入存儲器陣列102的行301中的存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v1(例如，2v)施加至字線wl1和wl2，將第二非零偏置電壓v2(例如，6v)施加至字線wl3，將第三非零偏置電壓v3(例如，8v)施加至位線bl1和bl3，并且將第四非零偏置電壓v4(例如，4v)施加至位線bl2來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v1(例如，2v)和第三非零偏置電壓v3(例如，8v)之間的差異使得電流i1流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的調節mtj器件。電流i1小于切換電流isw，使得存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的調節mtj器件的狀態不變。然而，來自調節mtj器件的電流加在一起，使得為電流i1的兩倍的電流流過存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件。電流i1的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數據狀態寫入存儲單元202a,1和第三存儲單元202a,3內的工作mtj器件。第二存儲單元202a,2內的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因為非零偏置電壓v1(例如。安徽電容電阻回收中心上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，有想法的可以來電咨詢！

基于訓練數據獲取經加權值36。接下來，進入推理/分類階段314。在推理/分類階段314中，mlc42基于經加權值36對驗證數據進行分類。在驗證數據的分類之后，使用者將這種分類與參考分類進行比較，從而獲得一校正率。如果這樣的校正率滿足在操作504中在規范中獲得的所需校正率，則推理/分類階段314結束，并且進入預測階段316。如果校正率不滿足所需的校正率，則重復上述過程。圖8的流程圖說明根據本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的預測階段316。參照圖8，不執行操作502的評估。mlc42控制src電路104而不需要人力。因此，使用mlc42來調整回轉率是相對方便的。圖9是根據本公開的一些實施例的圖3的機器學習電路42的電路圖。參考圖9，mlc42包括一測量電路60、一數據庫70和一分類器電路80。測量電路60經配置以通過實際測量信號dout來獲取信號dout的一實際電壓vout，并提供實際電壓vout。實際電壓vout的微分決定信號dout的實際回轉率。測量電路60將多個實際電壓vout值提供給數據庫70以存儲在數據庫70。數據庫70將實際電壓vout提供給使用者界面44。使用者界面44例如在使用者界面44的顯示器上顯示實際電壓vout。分類器電路80從數據庫70獲得電壓vout。此外。

多個mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個mtj器件106、204和206中的一個包括被配置為存儲數據狀態的工作mtj器件106。多個mtj器件106、204和206中的一個或多個包括設置在調節訪問裝置108內的調節mtj器件204和206，調節訪問裝置108被配置為控制(即，調節)提供給相關的工作mtj器件106的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件106、204和206。例如，在一些實施例中，可以通過在介電層1002和多個底電極通孔408上方沉積磁固定膜，在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件106、204和206?？梢詫Υ殴潭?、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件106、204和206。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件106、204和206。如圖11的截面圖1100所示，在多個mtj器件106、204和206上方形成多個頂電極通孔410。多個頂電極通孔410由第二ild層1102圍繞。在一些實施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需要可以聯系我司哦！

圖中：1芯片本體、2連接機構、21螺紋塊、22凹槽、23l形桿、24轉動環、25螺母、3散熱機構、31空心導熱塊、32連通管、33空心散熱塊、34第二連通管、35第二空心散熱塊、4錐形塊、5導管、6管蓋。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。在本實用新型的描述中，需要理解的是，術語“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。參照圖1-2，一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體1，芯片本體1的上表面固定連接有兩個對稱分布的連接機構2，兩個連接機構2相對的一端共同固定連接有散熱機構3，散熱機構3的底端與芯片本體1的上表面活動連接。連接機構2包括與芯片本體上表面固定連接的螺紋塊21，螺紋塊21的上表面開設有凹槽22，凹槽22的槽壁活動連接有l形桿23，l形桿23的桿壁轉動套接有轉動環24。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，有需求可以來電咨詢！四川收購電子元器件回收行情

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由比較器800產生的經配置以調整信號dout的回轉率的預測還可能是正確的。圖13是根據本公開的一些實施例的信號的回轉率的一調整方法90的流程圖。參考圖13，調整方法90包括操作92、94、96和98。調整方法90開始于操作92，其中通過將一預設電壓與一實際電壓進行比較來提供一不成熟分類。調整方法90繼續至操作94，其中接收一參考分類，其中通過人工將該預設電壓與該實際電壓進行比較來獲取該參考分類。調整方法90進行到操作96，其中基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設電壓更新為一經學習電壓。調整方法90繼續至操作98，其中基于該經學習電壓產生一預測以調整一回轉率。調整方法90是示例，并且不旨在將本公開限制為超出權利要求中明確記載的內容。可以在調整方法90之前、期間和之后提供附加操作，并且為了調整方法90的額外實施例可以替換、消除或移動所描述的一些操作。在本公開中，mlc42控制src電路104而不涉及人力。因此，使用mlc42來調整回轉率是相對方便的。本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測量電路以及一分類器電路。該測量電路經配置以獲取一實際電壓。該分類器電路經配置以：通過比較一預設電壓和該實際電壓來產生關于一不成熟分類的信息。重慶電感元件回收聯系方式

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