固定層110a和自由層114a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態，并且從而使得多個存儲單元104a,1至104b,2能夠分別存儲數據狀態，數據狀態具有基于存儲單元內的工作mtj器件106的電阻的值。例如，如果工作mtj器件106a,1具有低電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲位值(例如，邏輯“0”)，或者如果工作mtj器件106a,1具有高電阻狀態，則存儲單元104a,1將存儲第二位值(例如，邏輯“1”)。調節訪問裝置108分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件106的電流的電阻。例如，調節訪問裝置108a,1被配置為控制提供給工作mtj器件106a,1的電流，第二調節訪問裝置108b,1被配置為控制提供給第二工作mtj器件106b,1的電流等。調節訪問裝置108被配置為通過控制提供給工作mtj器件106的電流來選擇性地對存儲器陣列102內的一個或多個工作mtj器件106提供訪問。在一些實施例中，調節訪問裝置108可以包括一個或多個調節mtj器件109，一個或多個調節mtj器件109分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112b與自由層114b分隔開的固定層110b。例如，在一些實施例中，調節訪問裝置108可以包括與相關的工作mtj器件106連接的并聯連接的調節mtj器件和第二調節mtj器件206。在一些實施例中。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，歡迎客戶來電！天津高價電子元器件回收

圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個印刷電路板插座404地安裝。熱接口材料層408在冷卻管的與系統板402相對的一側布置在每個冷卻管406上，并且熱耦聯至該冷卻管406。多個雙列直插式存儲模塊組件電耦聯至系統板402，所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存儲模塊組件標記為200。特別地，每個雙列直插式存儲模塊組件200的連接側304布置在印刷電路板插座404中的一個印刷電路板插座中。當所述兩個印刷電路裝配件400a和400b相對地放置在一起，如圖4b中所示出的那樣。重慶電子料高價回收量大從優上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有想法可以來我司咨詢！

離散的互連結構限定連接至圖2的存儲器陣列102的列內的相應存儲單元的兩條字線wl1至wl2以及連接至圖2的存儲器陣列102的行內的相應存儲單元的位線bl1。在一些實施例中，存儲單元202a,1的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206可以通過第二多個通孔412b連接至第三互連層406c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元202a,1上方。在這樣的實施例中，第四互連層406d在第二存儲單元202b,1的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206正下方延伸為連續結構。第四互連層406d通過第五互連層406e和第三多個通孔412c連接至第二存儲單元202b,1的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206。第六互連層406f限定連接至圖2的存儲器陣列102的列內的相應存儲單元的兩條字線wl3至wl4以及連接至圖2的存儲器陣列102的行內的相應存儲單元的位線bl2。在一些實施例中，第二存儲單元202a,2的工作mtj器件106、調節mtj器件204和第二調節mtj器件206可以通過第四多個通孔412d連接至第六互連層406f。在其它實施例(未示出)中，一個或多個附加存儲單元可以橫向地布置為鄰近存儲單元202a,1。在一些這樣的實施例中。

可以在多個mtj器件106、204和206上方沉積第二ild層1102，并且然后選擇性地圖案化第二ild層1102以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內形成多個頂電極通孔410。在各個實施例中，第二ild層1102可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔410可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個mtj器件106、204和206上方的第三ild層1104內形成第二互連層406b。在一些實施例中，第二互連層406b包括限定存儲單元202a,1的位線bl1和一條或多條字線wl1至wl2的多個互連結構。在一些實施例中，第三ild層1104可以包括通過一個或多個沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(例如，氧化物、低k電介質或k電介質)。可以通過選擇性地蝕刻第三ild層1104以在第三ild層1104內形成開口來形成第二互連層406b。然后在開口內沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成第二互連層406b。如圖12的截面圖1200所示，可以在存儲單元202a,1上方形成第二存儲單元202b,1。第二存儲單元202b。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有需求可以來電咨詢！

在圖5中的具有n＝1的單元線路結構中，存在六條金屬線和四條柵極線。圖5包括多個單元線路結構，多個單元線路結構包括圖5的左側的單元線路結構以及圖5的右側的第二單元線路結構，第二單元線路結構在x方向(在此也稱為方向x)上與單元線路結構相鄰，并且第二單元線路結構的形貌與單元線路結構的形貌相同。參照圖6，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以通過sadp形成。如參照圖4a至圖4i所述，可以在柵極層gtl上方形成雙倍心軸圖案dpg1和dpg2。標簽“dpg”可以理解如下：“d”表示雙倍，“p”表示圖案，“g”表示柵極。例如，雙倍心軸圖案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蝕劑圖案的節距的相同的雙倍心軸節距pdg。在這種情況下，每個單元線路結構uws2的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有柵極節距pg11和第二柵極節距pg12。柵極節距pg11和第二柵極節距pg12可以由表達式2表示。表達式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表達式2中，wdg表示雙倍心軸圖案dpg1和dpg2的寬度，wgl表示柵極線gl1至gl4的寬度。參照圖7，每個單元線路結構uws3的四條柵極線gl1至gl4可以通過saqp形成。如參照圖4a至圖4i所述。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！北京三極管回收市場

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圖8的流程圖說明根據本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的一預測階段。圖9是根據本公開的一些實施例的圖3的機器學習電路的電路圖。圖10是根據本公開的一些實施例的圖9的測量電路的電路圖。圖11是根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路的電路圖。圖12的示意圖說明根據本公開的一些實施例的圖9的分類器電路在圖5的訓練階段的示例性操作。圖13是根據本公開的一些實施例的信號的回轉率的調整方法的流程圖。符號說明10集成電路元件12使用者應用端30電路32神經網絡34輸入36經加權值38結果值40集成電路元件42機器學習電路44使用者界面46互連電路60測量電路70數據庫80分類器電路90調整方法92操作94操作96操作98操作102驅動器電路104回轉率控制電路120示波器122電壓波形124使用者界面200操作202操作204操作206操作208操作310程序312訓練階段314推理/分類階段316預測階段500操作502操作504操作600取樣保持電路602取樣保持電路604減法器800比較器802減法器電路804分壓器806加法器電路810反相器812暫存器814乘法器816暫存器din信號dout信號vout實際電壓clk時鐘信號vl電壓v1電壓n0節點具體實施方式以下詳細討論本公開的實施方案。然而，應該理解的是。天津高價電子元器件回收

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