四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。湖北二極管回收

調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內(nèi)的存儲單元(例如，mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅(qū)動晶體管的尺寸。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路100的一些實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路100包括具有多個存儲單元104a,1至104b,2的存儲器陣列102。多個存儲單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲器陣列102內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元104a,1和104a,2，而列存儲單元包括存儲單元104a,1和104b,1。在一些實施例中，多個存儲單元104a,1至104b,2可以包括多個mram單元。多個存儲單元104a,1至104b,2(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層112a與自由層114a分隔開的固定層110a。固定層110a具有固定的磁向，而自由層114a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽?10a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。貴州進(jìn)口晶振回收上海海谷電子有限公司電子料回收值得用戶放心。

以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測。在一些實施例中，該實際電壓的微分決定一信號的實際回轉(zhuǎn)率，并且該預(yù)設(shè)電壓的微分決定該信號的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。在一些實施例中，該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一經(jīng)加權(quán)值。在一些實施例中，該測量電路包括一取樣保持電路以及一第二取樣保持電路。該取樣保持電路經(jīng)配置以取樣一信號的一電壓。該第二取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號的一第二電壓，其中該實際電壓與該電壓和該第二電壓相關(guān)。在一些實施例中，該測量電路還包括一減法器電路。該減法器電路經(jīng)配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實際電壓。在一些實施例中，該不成熟分類與該參考分類之間的一區(qū)別與一神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一權(quán)重相關(guān)聯(lián)，并且該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一經(jīng)加權(quán)值。在一些實施例中，該分類器電路還包括一乘法器。該乘法器經(jīng)配置以通過將該預(yù)設(shè)電壓乘以一經(jīng)更新權(quán)重來產(chǎn)生該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，其中該經(jīng)更新權(quán)重與一預(yù)設(shè)權(quán)重相關(guān)聯(lián)。在一些實施例中，該經(jīng)更新權(quán)重與該區(qū)別和該預(yù)設(shè)權(quán)重之間的代數(shù)關(guān)系相關(guān)聯(lián)。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。

本發(fā)明的實施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲數(shù)據(jù)的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數(shù)據(jù)，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實現(xiàn)要素：根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個或多個調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解本發(fā)明的許多可能的應(yīng)用和變化。除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開的實施例所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。應(yīng)當(dāng)理解，例如在常用詞典中定義的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且不應(yīng)該被理解為或者理解為除非在此明確定義，否則過于正式的意義。機(jī)器學(xué)習(xí)經(jīng)配置以各種設(shè)置以通過使用示例來執(zhí)行任務(wù)。例如，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可經(jīng)配置以執(zhí)行沒有任務(wù)特定編程的任務(wù)。也就是說，可以從先前數(shù)據(jù)訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以對來自當(dāng)前數(shù)據(jù)的信息進(jìn)行分類或推斷。例如，訓(xùn)練數(shù)據(jù)可經(jīng)配置以通過分析信號的電壓來識別從駕駛員輸出端的信號的回轉(zhuǎn)率。雖然使用基于電壓的回轉(zhuǎn)率識別作為示例，但這是說明性的，并且任何合適的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)任務(wù)可以由下面描述的實施例執(zhí)行。圖1的示意圖說明調(diào)整信號的回轉(zhuǎn)率的比較方法。參考圖1，一集成電路(integratedcircuit，ic)元件10包括一驅(qū)動器電路102和一回轉(zhuǎn)率控制(slewratecontrol，src)電路104。驅(qū)動器電路102經(jīng)配置以接收一信號din，并通過增加信號din的驅(qū)動能力來驅(qū)動出ic元件10上的一信號dout。根據(jù)src電路104提供的一回轉(zhuǎn)率。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，有想法的不要錯過哦！江蘇晶振回收收購

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可以通過電力軌71與第二電力軌72之間沿第二方向y的距離定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元高度ch。可以沿著與電力軌71和72平行的方向x定義標(biāo)準(zhǔn)單元scl的單元寬度cw。線路m1的節(jié)距會由于小節(jié)距規(guī)則而需要滿足限制。例如，線路m1會需要根據(jù)“前列到側(cè)面”約束和“圓角”約束來滿足限制。線路m1的尺寸、布置和間隔可能受到這些約束的限制。下通孔接觸件v0和線路m1可以具有阻擋層和線路導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。阻擋層可以由例如tin、tan、它們的組合等形成。線路導(dǎo)電層可以由例如w、cu、它們的合金、它們的組合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或電鍍方法來形成線路m1和下通孔接觸件v0。根據(jù)一些示例實施例的集成電路可以對應(yīng)于各種標(biāo)準(zhǔn)單元的組合。盡管圖中未示出，但是根據(jù)示例實施例的用于形成單元線路結(jié)構(gòu)的列金屬線可以形成在第二層ly2上方的m2層或m3層中。圖13是示出根據(jù)示例實施例的設(shè)計集成電路的方法的示圖。圖13的方法可以包括由設(shè)計工具執(zhí)行的設(shè)計集成電路的布圖的方法。在一些示例實施例中，設(shè)計工具可以包括包含可由處理器執(zhí)行的多個指令的編程軟件，即，以硬件(例如，處理器、asic等)的某種形式實現(xiàn)的軟件。參照圖13，可以接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)(s10)。例如。湖北二極管回收

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