3．邏輯綜合；4．門級驗證（Gate-LevelNetlistVerification）；5．布局和布線。模擬集成電路設計的一般過程：1.電路設計（依據電路功能）；2.前仿真；3.版圖設計（Layout）；4.后仿真；5.后續處理（將版圖文件生成GDSII文件交予Foundry流片）。要設計集成電路版需要了解哪些知識集成電路設計的流程一般先要進行軟硬件劃分，將設計基本分為兩部分：芯片硬件設計和軟件協同設計。芯片硬件設計包括：1．功能設計階段。設計人員產品的應用場合，設定一些諸如功能、操作速度、接口規格、環境溫度及消耗功率等規格，以做為將來電路設計時的依據。更可進一步規劃軟件模塊及硬件模塊該如何劃分，哪些功能該整合于SOC內，哪些功能可以設計在電路板上。2．設計描述和行為級驗證能設計完成后，可以依據功能將SOC劃分為若干功能模塊，并決定實現這些功能將要使用的IP核。此階段將接影響了SOC內部的架構及各模塊間互動的訊號，及未來產品的可靠性。決定模塊之后，可以用VHDL或Verilog等硬件描述語言實現各模塊的設計。接著，利用VHDL或Verilog的電路仿真器，對設計進行功能驗證集成電路布圖設計應該向那個部門進行申請按照我國于2001年制定的《集成電路布圖設計保護條例》。 電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！遼寧呆滯料回收廠家
第二側壁間隔件271至282在方向x上具有節距p5、p6和p7以及寬度w4。根據側壁間隔件261至266的寬度w3以及第二側壁間隔件271至282的寬度w4確定節距p5、p6和p7。在一些實施例中，第二側壁間隔件271至282的平均節距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/4平均節距。在一些示例實施例中，如參照圖4g、圖4h和圖4i所述，可以使用側壁間隔件261至266作為心軸圖案在與側壁間隔件261至266相同的層中形成第二側壁間隔件271至282。在一些示例實施例中，即使圖中未示出，也可以在下層中印刷側壁間隔件261至266，也可以使用印刷圖案作為心軸圖案在比側壁間隔件261至266低的層中形成第二側壁間隔件271至282。根據所使用的工藝步驟的數量，獲得不同的節距值(特征分辨率或者特征分隔距離)。在單圖案化或者直接圖案化的情況下，可以使用抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3形成與抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3具有相同的平均節距的目標圖案。在sadp的情況下，可以使用心軸圖案231、232和233在比抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3低的層中形成具有抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節距的目標圖案。在saqp的情況下。遼寧呆滯料回收廠家上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需求可以來電咨詢！
多個mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個mtj器件106、204和206中的一個包括被配置為存儲數據狀態的工作mtj器件106。多個mtj器件106、204和206中的一個或多個包括設置在調節訪問裝置108內的調節mtj器件204和206，調節訪問裝置108被配置為控制(即，調節)提供給相關的工作mtj器件106的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件106、204和206。例如，在一些實施例中，可以通過在介電層1002和多個底電極通孔408上方沉積磁固定膜，在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件106、204和206。可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件106、204和206。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件106、204和206。如圖11的截面圖1100所示，在多個mtj器件106、204和206上方形成多個頂電極通孔410。多個頂電極通孔410由第二ild層1102圍繞。在一些實施例中。
本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術：現代計算機系統產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產生的。為了合適地運行，這些計算機系統必須被保持在一定溫度范圍之內。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產生的熱量。技術實現要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統，所述液體冷卻的集成電路系統包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，平行地安裝在所述系統板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統板相對的一側上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。上海海谷電子有限公司是一家專業提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來電！
每個單元線路結構的八條柵極線通過自對準雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成交替地具有柵極節距和第二柵極節距。在又一實施例中，每個單元線路結構包括十二條金屬線和八條柵極線，每個單元線路結構的十二條金屬線通過自對準四倍圖案化(saqp)形成，并且每個單元線路結構的十二條金屬線在方向上布置成順序地且重復地具有金屬節距、第二金屬節距、金屬節距和第三金屬節距。在這個實施例中，每個單元線路結構的八條柵極線通過saqp形成，并且每個單元線路結構的八條柵極線在方向上布置成順序地且重復地具有柵極節距、第二柵極節距、柵極節距和第三柵極節距。還提供一種制造集成電路的方法。所述方法包括：在半導體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸；以及在柵極層上方的導電層中形成多條金屬線，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得包括在所述多條金屬線中的6n條金屬線和包括在所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結構，其中，n是正整數，并且多個單元線路結構布置在方向上。在所述方法的一些實施例中。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！遼寧呆滯料回收廠家
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本發明的實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術：許多現代電子器件包含配置為存儲數據的電子存儲器。電子存儲器可以是易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器在上電時存儲數據，而非易失性存儲器能夠在斷開電源時存儲數據。磁阻式隨機存取存儲器(mram)是用于下一代非易失性存儲器技術的一種有前景的候選。技術實現要素：根據本發明的一個方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結器件被配置為存儲數據狀態；以及調節訪問裝置，連接在所述工作磁隧道結器件和字線之間，其中，所述調節訪問裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結器件的電流的一個或多個調節磁隧道結器件。根據本發明的另一個方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結構內，其中，所述互連層通過所述介電結構與所述襯底分隔開；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲數據狀態，其中，所述工作mtj器件通過包括多個互連層且不延伸穿過所述襯底的連續導電路徑電連接在位線和字線之間。根據本發明的又一個方面，提供了一種形成集成電路的方法。遼寧呆滯料回收廠家