山西LCD光刻膠國產廠商

來源：發布時間：2025-06-15

? 正性光刻膠

? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。

? 技術優勢：采用進口樹脂及光引發劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。

? 負性光刻膠

? JT-1000：負性膠，主打優異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。

? SU-3：經濟型負性膠，性價比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm2。

2. 顯示面板光刻膠

? LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設計，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規模生產。

? 水性感光膠JT-1200：環保型產品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標準，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細網點，主要供應京東方、TCL等面板廠商。

納米級圖案化的主要工具。山西LCD光刻膠國產廠商

作為東莞松山湖的企業，吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年，成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達 98% 以上，已通過中芯國際等晶圓廠驗證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復雜環境下仍保持圖形穩定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝，產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準，遠銷全球并與跨國企業建立長期合作，加速國產替代進程。福建低溫光刻膠國產廠商感光膠的工藝和應用。

吉田半導體 YK-300 正性光刻膠：半導體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于半導體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出，在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩定性。產品已通過中芯國際量產驗證，良率達 98% 以上，生產過程執行 ISO9001 標準，幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產與定制化需求，為國產芯片制造提供穩定材料支撐。

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。

其他光刻膠

水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發、可定制、使用、品質保障、性能穩定的特點，重量 1L。
水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優勢，應用場景。

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不同光刻膠類型的適用場景對比

類型波長范圍分辨率典型應用產品

G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣吉田半導體JT-100系列

KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備吉田半導體YK-300系列

ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化國際主流：JSR ARF系列

EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊研發中（吉田半導體合作攻關）

水性光刻膠全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環保PCB阻焊層吉田半導體WT-200系列

總結：多領域滲透的“工業維生素”

光刻膠的應用深度綁定電子信息產業，從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”，再到顯示面板的“色彩精細控制”，其技術參數（分辨率、耐蝕刻性、靈敏度）需根據場景設計。隨著**新能源（車規芯片、光伏）、新型顯示（Micro LED）、先進制造（納米壓印）**等領域的發展，光刻膠的應用邊界將持續擴展，成為支撐制造的關鍵材料。

吉田半導體全系列產品覆蓋，滿足多元化需求。福州水性光刻膠報價

負性光刻膠生產廠家。山西LCD光刻膠國產廠商

技術研發：從配方到工藝的經驗壁壘

配方設計的“黑箱效應”

光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數萬次實驗優化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率，其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫，國內企業短期內難以突破。

工藝控制的極限挑戰

光刻膠生產需在百級超凈車間進行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板，導致產品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證，但量產良率較日本同類型產品低約15%。

EUV光刻膠的“代際鴻溝”

EUV光刻膠需在13.5nm波長下工作，傳統有機光刻膠因吸收效率低、熱穩定性差面臨淘汰。國內企業如久日新材雖開發出EUV光致產酸劑，但金屬氧化物基光刻膠（如氧化鋅）的納米顆粒分散技術尚未突破，導致分辨率只達10nm，而國際水平已實現5nm。

山西LCD光刻膠國產廠商

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吉田半導體 YK-300 正性光刻膠：半導體芯片制造的材料

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