杭州負性光刻膠

來源：發布時間：2025-06-16

以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝為，吉田半導體打造環保光刻膠，助力電子產業低碳轉型。面對全球環保趨勢，吉田半導體推出無鹵無鉛錫膏與焊片，通過歐盟 RoHS 認證，焊接可靠性提升 30%。其 LCD 光刻膠采用低 VOC 配方（<50g/L），符合歐盟 REACH 法規，生產過程中通過多級廢氣處理與水循環系統，實現零排放。公司嚴格執行 8S 現場管理，工業固廢循環利用率超 90%，為新能源汽車、光伏儲能等領域提供綠色材料解決方案，成為全球客戶信賴的環保材料供應商。吉田質量管控與認證壁壘。杭州負性光刻膠

吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領域，通過差異化技術（如納米壓印、厚膜工藝）和環保特性（水性配方），滿足從傳統電子到新興領域（如第三代半導體、Mini LED）的多樣化需求。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝，還通過材料創新推動行業向綠色化、低成本化方向發展。吉田半導體光刻膠的優勢在于技術全面性、環保創新、質量穩定性及本土化服務，尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力。

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全品類覆蓋與定制化能力

吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類，適用于半導體、顯示面板、MEMS等多個領域。例如，其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求，支持客戶定制化工藝參數，尤其在柔性顯示（OLED）和Mini/Micro LED等新興領域表現突出。

技術亮點：通過自主研發的樹脂配方和光敏劑體系，實現了高分辨率（120nm）和高抗蝕性的平衡，部分指標（如線寬粗糙度LWR<3nm）接近國際主流產品水平。

國產化材料與工藝適配

公司采用進口原材料+本地化生產模式，關鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應商采購，同時建立了超純提純工藝（雜質含量<1ppm），確保產品穩定性。此外，其光刻膠與國內主流光刻機（如上海微電子SSA800）、勻膠顯影機（如盛美上海）的兼容性已通過驗證，縮短客戶工藝調試周期。

定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區域溶解）相比，其優勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導體制造（尤其是制程）的主流選擇。

化學組成與工作原理

主要成分

? 樹脂（成膜劑）：

? 傳統正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復合體系（PAC體系），占比約80%-90%。

? 化學增幅型（用于DUV/EUV）：含環化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配光酸發生器（PAG），通過酸催化反應提高感光度和分辨率。

? 溶劑：溶解樹脂和感光劑，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）、穩定劑（防止暗反應）、堿溶解度調節劑等。

工作原理

? 曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結合，形成不溶于堿性顯影液的復合物。

? 曝光時：

? 傳統PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發生光分解，生成羧酸，使曝光區域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

? 化學增幅型：PAG在DUV/EUV光下產生活性酸，催化樹脂發生脫保護反應，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。

? 顯影后：曝光區域溶解去除，未曝光區域保留，形成正性圖案。

光刻膠：半導體之路上的挑戰與突破。

原料準備

? 主要成分：樹脂（成膜劑，如酚醛樹脂、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發劑或光敏化合物，如重氮萘醌、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分，如丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA））、添加劑（調節粘度、感光度、穩定性等，如表面活性劑、穩定劑）。

? 原料提純：對樹脂、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度。

配料與混合

? 按配方比例精確稱量各組分，在潔凈環境，如萬中通過攪拌機均勻混合，形成膠狀溶液。

? 控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解。

過濾與純化

? 使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵），確保膠液潔凈度，避免光刻時產生缺陷。

性能檢測

? 物理指標：粘度、固含量、表面張力、分子量分布等，影響涂布均勻性。

? 化學指標：感光度、分辨率、對比度、耐蝕刻性，通過曝光實驗和顯影測試驗證。

? 可靠性：存儲穩定性（常溫/低溫保存下的性能變化）、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）。

包裝與儲存

? 在惰性氣體（如氮氣）環境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解。

? 儲存條件：低溫（5-10℃）、避光、干燥，部分產品需零下環境（如EUV光刻膠）。

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市場拓展

? 短期目標：2025年前實現LCD光刻膠國內市占率10%，半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈，納米壓印膠完成臺積電驗證。

? 長期愿景：成為全球的半導體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。

. 政策與產業鏈協同

? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金，獲設備采購補貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發。

? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯合研發中心，共同攻關光刻膠關鍵技術，縮短客戶驗證周期（目前平均12-18個月）。

. 挑戰與應對

? 技術壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進口，計劃2026年建成中試線，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標曝光劑量<10mJ/cm2）。

? 供應鏈風險：部分原材料（如樹脂）進口占比超60%，正推進“國產替代計劃”，與鼎龍股份、久日新材建立戰略合作為原材料供應。

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標簽：錫膏錫片光刻膠

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