二極管的發現和發展:1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩定，并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上。現如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前常見的結構是，一個半導體性能的結晶片通過PN結連接到兩個電終端。 二極管的反向漏電流稱為反向飽和電流。超快恢復二極管批發價

二極管的發現和發展:1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發現了晶體的整流能力。因此1906年開發出的代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初，由于無線電接收器探測器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩定，并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上。現如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前常見的結構是，一個半導體性能的結晶片通過PN結連接到兩個電終端。佛山超快恢復二極管特性二極管的導通與截止要有電壓控制，電路中VD1正極通過電阻R1、開關S1與直流電壓+V端相連。

二極管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應用，通常稱之為“整流”功能。在真空管內，借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達陽極，因而有整流的作用。將交流電轉變為脈動直流電，包括無線電接收器對無線電信號的調制，都是通過整流來完成的。因為其順向流通逆向阻斷的特點，二極管可以想象成電路中的單向閥。然而實際上，二極管并不會表現出如此完美的開關性，而是呈現出較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。一般來說，只有在正向超過開啟電壓時，二極管才會工作（此狀態被稱為正向偏壓）[6]。一個正向偏置的二極管兩端的電壓降變化只與電流有一點關系，并且是溫度的函數。因此這一特性可用于溫度傳感器或參考電壓。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。高頻條件下，二極管的勢壘電容表現出來極低的阻抗，并且與二極管并聯。

固態二極管1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發現了晶體的“單向傳導”的能力，并在1899年將晶體整流器申請了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊了。也正是因為格林里夫，使得晶體檢波器發展成了可實用于無線電報的裝置。其他實驗者嘗試了多種其他物質，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機集的晶體檢波器包括一個可調節導線的點接觸設備（即所謂的“貓須”）。可以通過手動調節晶體表面上的導線，以獲得的信號。 隔離二極管功率的主要特點是具有高耐壓、高電流、低漏電流和快速響應等特點。紹興隔離二極管接線圖

二極管的工作溫度范圍通常為-55℃至+150℃。超快恢復二極管批發價

面接觸式二極管：面接觸式PN結二極管是由一塊半導體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導體（如本征硅）的一端成為一個包含負極性載流子（電子）的區域，稱作N型半導體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區域，稱作P型半導體。兩種材料在一起時，電子會從N型一側流向P型一側。這一區域電子和電洞相互抵銷，造成中間區域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內部存在“內電場”：N型側帶正電，P型側帶負電。兩塊區域的交界處為PN結，晶體允許電子（外部來看）從N型半導體一端，流向P型半導體一端，但是不能反向流動。 超快恢復二極管批發價