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以 15% 年研發投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發，搶占行業制高點。布局下一代光刻技術。 面對極紫外光刻技術挑戰，吉田半導體與中科院合作開發化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性...

廣東吉田半導體材料有限公司成立于松山湖經濟技術開發區，是一家專注于半導體材料研發、生產與銷售的技術企業。公司注冊資本 2000 萬元，擁有 23 年行業經驗，產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等，服務全球市場并與多家...

感光機制 ? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯反應固化，適用于精細圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。 ? SBQ型（單液型）：預混光敏劑，無需調配，感光度高（曝光時間...

半導體集成電路 ? 應用場景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實現20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構； ? 封裝工藝：負性膠用于凸點（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐...

關鍵工藝流程 涂布： ? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。 前烘（Soft Bake）： ...

上游原材料： ? 樹脂：彤程新材、鼎龍股份實現KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成，金屬雜質含量<5ppb（國際標準<10ppb）。 ? 光引發劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產酸劑，累計形成噸級訂單；威邁芯材合肥基...

耐腐蝕性的化學機制 表面氧化膜的保護作用 ? 錫（Sn）在常溫下與空氣中的氧氣反應，生成一層致密的二氧化錫（SnO?）薄膜，該膜附著性強，能有效阻止氧氣和水汽進一步滲透至金屬內部，形成“自我保護”機制。 ...

企業定位與資質 ? 成立背景：深耕半導體材料行業23年，位于松山湖經濟技術開發區，注冊資本2000萬元，是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業及廣東省創新型中小企業。 ? 質量體系：通過ISO9001:2008認證，...

主要優勢：細分領域技術突破與產業鏈協同 技術積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發經驗，實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳...

綠色制造與循環經濟 公司采用水性光刻膠技術，溶劑揮發量較傳統產品降低60%，符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產，通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用，年減排VOCs（揮發性有機物）超100噸。 ...

高壓閥門的「無火花密封」：在石油化工領域，錫片（純度99.9%）制成的密封墊片可承受20MPa壓力與150℃高溫，其莫氏硬度只有1.5（低于鋼鐵），在螺栓緊固時能填滿0.05mm以下的金屬表面缺陷，且摩擦時不產生火花（燃點＞500℃），杜絕易燃易爆環境中的...

納米壓印光刻膠 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信...

光刻膠的納米級性能要求 超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊，避免散射導致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）。 低缺陷率：納米級結構對膠層中的顆?；蚧瘜W不...

公司嚴格執行 ISO9001:2008 質量管理體系與 8S 現場管理標準，通過工藝革新與設備升級實現生產過程的低污染、低能耗。注塑廢氣、噴涂廢氣經多級凈化處理后達標排放，生活污水經預處理后納入市政管網，冷卻水循環利用率達 100%。危險廢物（如廢機油、含...

吉田半導體突破 ArF 光刻膠技術壁壘，國產替代再迎新進展 自主研發 ArF 光刻膠通過中芯國際驗證，吉田半導體填補國內光刻膠空白。 吉田半導體成功研發出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過中芯國...

市場拓展 ? 短期目標：2025年前實現LCD光刻膠國內市占率10%，半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈，納米壓印膠完成臺積電驗證。 ? 長期愿景：成為全球的半導體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營收占比超40...

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，各有特性與優勢，適用于不同領域。 厚板光刻膠 JT - 3006：具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。需保存在干燥區域并密封，使用前要閱讀參考技術資料。適用...

吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認證，PCB 電路板制造 憑借抗深蝕刻性能與環保特性，吉田 JT-3001 厚板光刻膠成為 PCB 行業材料。 吉田半導體推出的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率達 1.5μm，抗深蝕刻速率...

吉田半導體助力區域經濟，構建半導體材料生態圈，發揮企業作用，吉田半導體聯合上下游資源，推動東莞松山湖半導體產業協同創新。 作為松山湖產業集群重要成員，吉田半導體聯合光刻機制造商、光電子企業共建材料生態圈。公司通過技術輸出與資源共享，幫助本地企業提升工藝水平，促...

家庭小實驗：錫片的「抗銹能力」 將兩片相同大小的錫片與鐵片同時浸入5%鹽水，24小時后鐵片布滿紅銹，而錫片表面只有出現極淺的灰白色氧化斑——這直觀展示了錫的電極電位優勢（比鐵高0.3V），使其在電化學腐蝕中更「被動」。 廚房小...

國產替代進程加速 日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后，國內企業加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單，二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610，已通...

吉田半導體厚板光刻膠 JT-3001：國產技術助力 PCB 行業升級 JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻，成為國產 PCB 電路板制造推薦材料。 吉田半導體自主研發的 JT-3001 厚板光刻膠，分辨率 1.5μm，抗深蝕刻...

錫片生產的主要原材料是 錫（Sn），通常以金屬錫為基礎，根據不同用途可能添加其他合金元素。以下是具體說明： 主要原材料：金屬錫 ? 來源： ? 原生錫：通過開采錫礦石（如錫石，主要成分為SnO?），經選礦、...

焊接溫度要求不同 無鉛錫片焊接操作 有鉛錫片焊接操作 基礎溫度 熔點較高（217℃~260℃），焊接溫度需控制在 240℃~260℃（如SAC305需245℃±5℃），預熱溫度通常為 120℃~150℃（防止PCB突然受熱變形）。 共晶合金熔...

“設備-材料-工藝”閉環驗證 吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯合研發機制，針對28nm及以上成熟制程開發專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證，良率達95%以上。此外，公司參與國家重大專項（如02專項），與中...

廣東吉田半導體材料有限公司以全球化視野布局市場，通過嚴格的質量管控與完善的服務體系贏得客戶信賴。公司產品不僅通過 ISO9001 認證，更以進口原材料和精細化生產流程保障品質，例如錫膏產品采用無鹵無鉛配方，符合環保要求，適用于電子產品制造。其銷售網絡覆蓋全...

固態電池的「錫基電解質」：中科院團隊研發的錫-鑭-氧固態電解質片，離子電導率達10?3 S/cm，可承受4V以上電壓，配合金屬鋰負極，使電池能量密度突破500Wh/kg，為電動汽車「充電10分鐘續航400公里」提供可能。 納米錫片的「催化...

焊接工藝差異 無鉛錫片 有鉛錫片 焊接溫度 需更高溫度（240℃以上），可能導致PCB板材（如FR-4）受熱變形、元件引腳氧化加劇，需優化設備溫控精度（±5℃以內）。 焊接溫度低（210℃~230℃），對設備和工藝要求較低，兼容性強。 ...

物理與機械性能 無鉛錫片 有鉛錫片 熔點 較高，通常在217℃~260℃之間（取決于合金成分，如SAC305熔點217℃，Sn-Cu合金熔點227℃），焊接需更高溫度（240℃~260℃）。 較低，共晶合金（63Sn-37Pb）熔點183...

半導體集成電路 ? 應用場景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實現20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構； ? 封裝工藝：負性膠用于凸點（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐...