重慶負(fù)性光刻膠

來(lái)源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-22

關(guān)鍵工藝流程

涂布：

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無(wú)氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。

前烘（Soft Bake）：

? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）。

曝光：

? 光源匹配：

? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。

? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲(chǔ)芯片）。

? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級(jí)缺陷）。

? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過(guò)曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

顯影：

? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。

后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟，通過(guò)加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性。

光刻膠技術(shù)突破加速，對(duì)芯片制造行業(yè)有哪些影響？重慶負(fù)性光刻膠

吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈：

芯片制造：YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，支持國(guó)產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%，成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
新能源領(lǐng)域：無(wú)鹵無(wú)鉛焊片通過(guò) UL 認(rèn)證，批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng)，年供貨量超 500 噸。

研發(fā)投入：年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%，承擔(dān)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題，獲 “國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。
產(chǎn)能規(guī)模：光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場(chǎng)份額 15%。
質(zhì)量體系：通過(guò) ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證，生產(chǎn)過(guò)程執(zhí)行 8S 管理，批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。

吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā)，加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破，目標(biāo)在 2027 年前實(shí)現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時(shí)，深化國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同，構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。

從突破國(guó)際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎，走出了一條中國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來(lái)，公司將以更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品與技術(shù)，助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。

重慶負(fù)性光刻膠吉田技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)能力。

吉田半導(dǎo)體納米壓印光刻膠 JT-2000：國(guó)產(chǎn)技術(shù)突破耐高溫極限

自主研發(fā) JT-2000 納米壓印光刻膠耐受 250℃高溫，為國(guó)產(chǎn)納米器件制造提供關(guān)鍵材料。吉田半導(dǎo)體 JT-2000 納米壓印光刻膠采用國(guó)產(chǎn)交聯(lián)樹脂，在 250℃高溫下仍保持圖形保真度 > 95%。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與全自動(dòng)化工藝，其高粘接強(qiáng)度與耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿特性，適用于光學(xué)元件、傳感器等精密器件。產(chǎn)品已通過(guò)國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)驗(yàn)證，應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝，幫助客戶實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)加工自主化。

光刻膠（Photoresist）是一種對(duì)光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移，是半導(dǎo)體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領(lǐng)域的材料之一。

光刻膠特性與組成

? 光敏性：在特定波長(zhǎng)（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會(huì)發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化（如交聯(lián)或分解），從而改變?cè)陲@影液中的溶解性。

? 主要成分：

? 樹脂（成膜劑）：形成基礎(chǔ)膜層，決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。

? 光敏劑：吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)（如光分解、光交聯(lián)）。

? 溶劑：調(diào)節(jié)粘度，便于涂覆成膜。

? 添加劑：改善性能（如感光度、分辨率、對(duì)比度等）。

LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好?吉田半導(dǎo)體高分辨率+低 VOC 配方!

吉田半導(dǎo)體突破 ArF 光刻膠技術(shù)壁壘，國(guó)產(chǎn)替代再迎新進(jìn)展

自主研發(fā) ArF 光刻膠通過(guò)中芯國(guó)際驗(yàn)證，吉田半導(dǎo)體填補(bǔ)國(guó)內(nèi)光刻膠空白。
吉田半導(dǎo)體成功研發(fā)出 AT-450 ArF 光刻膠，分辨率達(dá) 90nm，適用于 14nm 及以上制程，已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證。該產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與自主配方，突破日本企業(yè)對(duì) ArF 光刻膠的壟斷。其光酸產(chǎn)率提升 30%，蝕刻選擇比達(dá) 4:1，性能對(duì)標(biāo)日本信越的 ArF 系列。吉田半導(dǎo)體的技術(shù)突破加速了國(guó)產(chǎn)芯片制造材料自主化進(jìn)程，為國(guó)內(nèi)晶圓廠提供高性價(jià)比解決方案。

松山湖企業(yè)深耕光刻膠領(lǐng)域二十載，提供全系列半導(dǎo)體材料解決方案。湖北紫外光刻膠價(jià)格

光刻膠生產(chǎn)工藝流程與應(yīng)用。重慶負(fù)性光刻膠

LCD 正性光刻膠（YK-200）應(yīng)用場(chǎng)景：LCD 面板的電極圖案化（如 TFT-LCD 的柵極、源漏極）、彩色濾光片制造。特點(diǎn)：高感光度與均勻涂布性，確保顯示面板的高對(duì)比度和色彩還原度。
厚膜光刻膠（JT-3001）應(yīng)用場(chǎng)景：Mini LED/Micro LED 顯示基板的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，以及 OLED 面板的封裝工藝。特點(diǎn)：膜厚可控（可達(dá)數(shù)十微米），滿足高密度像素陣列的精細(xì)加工需求。
PCB 光刻膠（如 SU-3 負(fù)性光刻膠）應(yīng)用場(chǎng)景：高多層 PCB、HDI（高密度互連）板的線路成像，以及 IC 載板的精細(xì)線路制作。特點(diǎn)：抗電鍍性能優(yōu)異，支持細(xì)至 50μm 以下的線寬 / 線距，適應(yīng) 5G 通信、服務(wù)器等 PCB 需求。重慶負(fù)性光刻膠

標(biāo)簽：錫片光刻膠

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重慶負(fù)性光刻膠

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