EVG?120--光刻膠自動化處理系統EVG ?120是用于當潔凈室空間有限,需要生產一種緊湊的,節省成本光刻膠處理系統。 新型EVG120通用和全自動光刻膠處理工具能夠處理各種形狀和尺寸達200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超...
參考材料備用BK7和二氧化硅參考材料。BG-Microscope顯微鏡系統內取背景反射的小型抗反光鏡BG-F10-RT平臺系統內獲取背景反射的抗反光鏡REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率鋁基準REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率...
F10-AR無須處理涂層背面我們探頭設計能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射,使用更厚的鏡頭抑制的更多。就像我們所有的臺式儀器一樣,F10-AR需要連接到您裝有Windows計算機的USB端口上并在數分鐘內即可完成設定。包含的內容:集成光譜儀/光源裝置F...
不管您參與對顯示器的基礎研究還是制造,Thetametrisis都能夠提供您所需要的...測量液晶層-聚酰亞胺、硬涂層、液晶、間隙測量有機發光二極管層-發光、電注入、緩沖墊、封裝對于空白樣品,我們建議使用FR-Scanner系列儀器。對于圖案片,Thetame...
高精度電容位移傳感器選型需要注意什么?1. 測量范圍。首先需要考慮需要測量的位移范圍,以選擇合適的傳感器型號和量程。如果位移范圍過大,需要選擇大量程的傳感器,如果位移范圍過小,需要選擇小量程的傳感器,以充分利用測量范圍。2. 精度和靈敏度。要考慮如果精度或靈敏...
高精度電容位移傳感器的檢驗方法:對于高精度電容位移傳感器,為了保證其可靠性和準確性,需要進行嚴格的檢驗和測試。以下是一些常見的高精度電容位移傳感器檢驗方法:1. 零點偏差測試:在測量時,如果傳感器輸出信號為非零,則需要進行零點偏差測試。測試時,需要將測量頭固定...
電容式位移傳感器是一種基于電容原理的位移測量儀器。屬于完全非接觸式位移傳感器,被測物無需任何附加和其他特別的要求,被測物沒有任何損傷。它通過測量沿軸向的機械位移與電容量的比例關系來實現位移的精確測量的。電容式位移傳感器由金屬電極和測量介質構成,金屬電極之間通過...
高精度電容位移傳感器的安裝和使用注意事項:1. 安裝時,應選擇一個穩定、平整的表面或安裝座,確保傳感器和被測物體之間的距離精度符合要求。2. 傳感器的兩個電極之間需要接通信號線和電源線。應注意線路的質量,以避免線路干擾對測量結果的影響。3. 在使用前,需要對傳...
使用位移傳感器的注意事項:1、傳感器的供電情況,如果位移傳感器供電電源容量不足,就會造成以下的情況:熔膠的運動會使合模電子尺的顯示變換,有波動,或者合模的運動會使射膠電子尺的顯示波動,造成測量誤差變大。如果電磁閥的驅動電源與直線位移傳感器供電電源共用的時候,更...
電容式位移傳感器具有哪些應用優勢?電容式位移傳感器應用優勢:1. 測量精度高:電容式位移傳感器具有很高的測量精度,測量范圍適中,且可以達到亞微米級別的精度,適用于高精度測量場合。2. 靈敏度好:電容式位移傳感器對于被測量的微小變化有較高的靈敏度,甚至在亞微米或...
位移傳感器是一種測量物體或構件位置和方向的傳感器,用于測量在直線和/或角位移方向上的物理運動,可用于各種應用,包括:1. 機械加工行業:用于測量機器的精度和位置,以確保產品的精度和質量。同時,還可用于測量機器的擠出量和警戒限度等。2. 汽車行業:用于測量汽車上...
高精度電容位移傳感器選型需要注意什么?1. 測量范圍。首先需要考慮需要測量的位移范圍,以選擇合適的傳感器型號和量程。如果位移范圍過大,需要選擇大量程的傳感器,如果位移范圍過小,需要選擇小量程的傳感器,以充分利用測量范圍。2. 精度和靈敏度。要考慮如果精度或靈敏...
選購高精度電容位移傳感器時,需要注意什么?1. 測量范圍:需要根據實際需求選擇適當的測量范圍,以充分使用其測量能力。2. 精度和靈敏度:需要根據實際需求選擇具有合適的精度和靈敏度的傳感器,以保證測量的準確性。3. 環境適應性:根據使用場合選擇適合的傳感器,注意...
高精度電容位移傳感器的檢驗方法:1. 周期測試:周期測試適用于周期性運動的測量,如機械運動和振動等。可以通過將測量頭與參考物固定,然后測量周期性運動的特性,如頻率、振幅和相位等,并記錄其變化過程,以檢查傳感器的穩定性和準確性。2. 頻率響應測試:頻率響應測試可...
選擇高精度電容位移傳感器廠家時需要注意什么?1. 精度要求:電容式位移傳感器的精度要求高,因此選購時需要了解其測量范圍和精度要求是否達到了實際應用的要求。2. 品牌信譽:品牌信譽是選購電容式位移傳感器時需要考慮的一個重要因素。選擇有較高名氣、生產經驗豐富且產品...
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應用限制較大。康興華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結構,但不涉及對準問題,實際應用的價值較小。陳穎慧等...
SmartView?NT自動鍵合對準系統,用于通用對準。全自動鍵合對準系統,采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個...
對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上...
目前關于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表...
EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉換和維護 生產...
EVG的晶圓鍵合機鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,壓力,時間和氣體,允許進行大多數鍵合過程。也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進行。頂部和底部晶片的獨...
在將半導體晶圓切割成子部件之前,有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片,這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上,以激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法,因為有缺陷的芯片不會被封裝到ZUI終的組件或集成電路中,而只會在ZUI終測試時被拒...
陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,廣FAN用于微電子工業中,利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數其他鍵合技術不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依...
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常jin應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或...
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的...
對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上...
EVG?520IS晶圓鍵合系統■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能■200mm的單個或者雙腔自動化系統■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉移■集成冷卻站,實現高產量EVG?540自動鍵合系統■300mm單腔鍵合室■自動處理多達4個鍵合卡盤■模塊化鍵合...
EVG?850DB自動解鍵合機系統全自動解鍵合,清潔和卸載薄晶圓特色技術數據在全自動解鍵合機中,經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗,而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法,都可以通過薄膜框...
EVG?850LT的LowTemp?等離子計獲模塊 2種標準工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進行自...
EVG?610BA鍵對準系統適用于學術界和工業研究的晶圓對晶圓對準的手動鍵對準系統。EVG610鍵合對準系統設計用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準。EVGroup的鍵合對準系統可通過底側顯微鏡提供手動高精度對準平臺。EVG的鍵對準系統的精度可滿足MEMS生...