óónmínimadelapruebaseráóáenellugardefabricacióóáuncertificadodefabricaciónenelquejustifiqueelcumplimientodelaspruebasyexámenesindicadosenestaITC,desglosandomaterialempleado,presióndeprueba,óón(brida,valona,bridaloca,rosca,etc.)atuberíasdellenado,ventilaciónaspiración,etcéántubosdeaceroconformesconlanormaUNE19040,dematerialsegúnDIN1629uotranormadeseguridadequivalente,siendoestascaracterísticaslasmínimasdeutilizacióéstosseajustaráánalaschapasdelosdepósitospormediodesoldadurasdeángulointerioresyexteriores,conunapenetraciónenelinteriorde,almenos,15milíósitossesituarán:Sobrelastapasdelasbocasdehombre;sobrelageneratrizsuperiordelosdepóósitoestaráprovistodelassiguientestubuladuras:a))Unatubuladuradeventilació)Unaovariastubuladurasdeaspiració))áobturadaherméósitosdecapacidadsuperioratresmetroscúbicostendránboca/únpuntodeldepósitoamásdecincometrosdeunabocadehombre;portanto,seprevéndosbocasparalosdepósitosdemásde10metrosdelongitud。蘇州BOE蝕刻液公司哪家好？湖南專業(yè)BOE蝕刻液報(bào)價(jià)

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對(duì)制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來越高，如蝕刻工藝中對(duì)蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會(huì)出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測量時(shí)，檢測點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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