可控硅模塊的應用領域
該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合,如工業、通訊、**等各類電氣操控、電源等,依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯接,結束穩流、穩壓、軟啟動等功用,并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。
可控硅模塊的操控辦法
經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號,經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度,結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。
電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對比常用的操控辦法。
淄博正高電氣有限公司不斷從事技術革新,改進生產工藝,提高技術水平。濱州可控硅模塊配件可控硅模塊的操控端口與操控線
可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,別離對應于5芯、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號的商品只用**腳端口,其他為空腳,選用電流信號的9腳為信號輸入,操控線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,聯接時注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業或能夠燒壞模塊。
可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號,請一一對應,不要接反。以上六個端口為模塊根柢端口,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運用,一般調壓商品其他腳為空腳。 濱州可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司以發展求壯大,就一定會贏得更好的明天。
接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。
過電壓會對可控硅模塊造成損壞,如果要想保護可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產生的原因。
可控硅模塊對過電壓非常敏感,當正向電壓超過udrm值時,可控硅會誤導并導致電路故障;當施加的反向電壓超過urrm值時,可控硅模塊會立即損壞。因此,需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化,使系統轉換太晚,或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現,由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對可控硅模塊非常危險。
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可控硅模塊選購注意事項:
(1)注明您需要的產品的型號、結構(螺栓、凹臺、凸臺)、配置散熱器型號。
(2)注明您關注的參數要求。
(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量;
可控硅模塊使用注意事項:
(1)線路中須有過壓過流保護措施,串并聯使用時必須有均流措施。
(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞: 門陰極間電阻,應有十幾或幾十Ω,否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻,應大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時,應立即更換。
(3)嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。
(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。
(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。
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可控硅模塊的出現已經歷史悠久,它的出現也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優勢,使可控硅模塊在電氣行業中非常的受歡迎,下面正高來詳細的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現在電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
可控硅模塊的優點體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優點,因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧,并因此得到長足發展。 濱州可控硅模塊配件
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