真空鍍膜技術在國民經濟各個領域有著廣泛應用，特別是近幾年來，我國國民經濟的迅速發展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產品的不斷涌現。尤其是在電子材料與元器件工業領域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴散法、電鍍法、涂布法、液相生長法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學沉積法和放電聚合法等。本次實驗是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環境下進行的，因此稱它們為真空鍍膜技術。真空蒸發、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術。真空蒸發鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結形成固態薄膜的方法。真空鍍膜技術有真空濺射鍍膜。連云港PVD真空鍍膜

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續呈現，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導體研究所。貴州UV光固化真空鍍膜真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結合，兼有兩者的工藝特點。

真空鍍膜：反應磁控濺射法：反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現單機年產上百萬平方米鍍膜的工業化生產。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應用發展。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD），PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發鍍膜、熱阻蒸發等。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應氣體）。真空鍍膜機鍍鋁層導電性能好，能消除靜電效應。安徽金屬真空鍍膜

真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。連云港PVD真空鍍膜

真空鍍膜：濺射鍍膜：濺射出來的粒子在飛向基體過程中易和真空室中的氣體分子發生碰撞，導致運動方向隨機化，使得沉積的膜易于均勻。發展起來的規模性磁控濺射鍍膜，沉積速率較高，工藝重復性好，便于自動化，已適當于大型建筑裝飾鍍膜及工業材料的功能性鍍膜，如TGN-JR型用多弧或磁控濺射在卷材的泡沫塑料及纖維織物表面鍍鎳Ni及銀Ag的生產制備。濺射鍍膜可分為直流濺射、射頻濺射和磁控濺射，其對應的輝光放電電壓源和控制場分別為高壓直流電、射頻(RF)交流電和磁控(M)場。連云港PVD真空鍍膜